NSS40300MZ4T3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高可靠性应用设计,适用于需要高频操作和高电流放大的电路。它采用SOT-23封装形式,体积小且便于在各种电路板上安装。
类型:NPN双极型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):40V
集电极电流(IC):300mA
功耗(PD):300mW
频率(fT):100MHz
增益带宽积(GBW):100MHz
封装形式:SOT-23
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-65°C至150°C
NSS40300MZ4T3G具有优良的高频性能,使其适用于射频(RF)和中频(IF)放大器应用。其NPN结构提供了良好的电流放大能力,并且具有较低的噪声系数,适用于信号处理和放大电路。
此外,该晶体管的SOT-23封装形式不仅节省空间,还具备良好的热性能,能够有效地将热量散发出去,确保器件在高负载条件下的稳定性。
该晶体管的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级和汽车级应用。其高可靠性和稳定性也使其成为许多高要求电子设备中的首选器件。
NSS40300MZ4T3G的制造工艺符合行业标准,并通过了多项质量认证,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。
该晶体管广泛应用于射频(RF)放大器、中频(IF)放大器、功率放大器、开关电路以及各种高频信号处理电路。它也常见于通信设备、音频设备、测试仪器和工业控制系统中。由于其高可靠性和高频性能,NSS40300MZ4T3G也被用于汽车电子系统、消费类电子产品和便携式设备中。
BC547, 2N3904, PN2222A