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NSS40300MZ4T3G 发布时间 时间:2025/8/2 7:25:40 查看 阅读:15

NSS40300MZ4T3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高可靠性应用设计,适用于需要高频操作和高电流放大的电路。它采用SOT-23封装形式,体积小且便于在各种电路板上安装。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):300mA
  功耗(PD):300mW
  频率(fT):100MHz
  增益带宽积(GBW):100MHz
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-65°C至150°C

特性

NSS40300MZ4T3G具有优良的高频性能,使其适用于射频(RF)和中频(IF)放大器应用。其NPN结构提供了良好的电流放大能力,并且具有较低的噪声系数,适用于信号处理和放大电路。
  此外,该晶体管的SOT-23封装形式不仅节省空间,还具备良好的热性能,能够有效地将热量散发出去,确保器件在高负载条件下的稳定性。
  该晶体管的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级和汽车级应用。其高可靠性和稳定性也使其成为许多高要求电子设备中的首选器件。
  NSS40300MZ4T3G的制造工艺符合行业标准,并通过了多项质量认证,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。

应用

该晶体管广泛应用于射频(RF)放大器、中频(IF)放大器、功率放大器、开关电路以及各种高频信号处理电路。它也常见于通信设备、音频设备、测试仪器和工业控制系统中。由于其高可靠性和高频性能,NSS40300MZ4T3G也被用于汽车电子系统、消费类电子产品和便携式设备中。

替代型号

BC547, 2N3904, PN2222A

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NSS40300MZ4T3G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)175 @ 1A,1V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换160MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)