SBAS21DW5T1G 时间：2025/6/6 12:23:04 阅读：6

SBAS21DW5T1G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该芯片以其高效率、低导通电阻和快速开关速度而著称，能够满足现代电子设备对节能和小型化的需求。
　　这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，主要面向中高电压应用场合，适用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。

参数

型号：SBAS21DW5T1G
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源极电压（VDS）：60V
　　最大栅源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
　　总功耗（Ptot）：23W
　　工作温度范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263 (DPAK)

特性

SBAS21DW5T1G 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少功率损耗，提升系统效率。
　　2. 快速开关能力，支持高频应用，可有效降低开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具有更好的鲁棒性。
　　4. 内置 ESD 保护电路，提高芯片在恶劣环境中的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 小型化的封装，便于 PCB 布局设计并节省空间。

应用

SBAS21DW5T1G 的典型应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和功率级开关。
　　2. 直流/直流转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
　　3. 电机驱动中的桥式电路元件。
　　4. 各类负载开关，用于动态调节电流或实现过流保护。
　　5. 工业自动化设备中的继电器替代品，提供更高效和可靠的解决方案。
　　6. 汽车电子中的电池管理系统和电机控制器组件。