时间：2025/5/21 8:47:27
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CDR31BX103AKSM 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够显著降低开关损耗并提高系统效率。其典型应用场景包括电源转换器、DC-DC 转换器以及射频功率放大器等。该芯片具备快速开关速度和低导通电阻的特点，从而实现更高的工作效率。
这款 GaN 功率晶体管采用了增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，确保在高频工作条件下的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：100mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
开关频率：最高可达5MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
CDR31BX103AKSM 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓 (GaN) 材料，提供卓越的开关性能和热管理能力。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷，减少传导和开关损耗。
3. 支持高达 5MHz 的开关频率，适用于高频电力电子设备。
4. 内置 ESD 保护电路，提升器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境条件。
7. 提供出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的应用场景。
CDR31BX103AKSM 广泛应用于以下领域：
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动汽车充电站中的功率模块。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 数据中心电源供应单元 (PSU)。
5. 射频功率放大器和无线能量传输系统。
6. 消费类电子产品中的高效电源适配器。
7. 工业自动化设备中的驱动电源和控制电路。
CDR31BX103AKS, CDR31BX103AK
