类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：4A
　　最大耗散功率（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在IC=2A，VCE=2V时，典型值为10000（根据不同等级，hFE范围可能为2000至50000）
　　过渡频率（fT）：5MHz
　　饱和压降（VCE_sat）：在IC=4A，IB=100mA时，最大值为1.5V

SB860D具有多项优良特性，适合用于高功率应用场景。
　　首先，该晶体管具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和集电极-基极击穿电压（VCBO），均达到100V，使其适用于中高压电路设计。此外，最大集电极电流为4A，能够支持较高的负载能力，适用于需要较大功率输出的应用，如电源开关、电机驱动和继电器控制等。
　　其次，SB860D的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。其最大耗散功率为30W，表明该器件在高温环境下仍具有较强的热稳定性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子设备中的功率管理模块。
　　再者，该晶体管的电流增益（hFE）在典型工作条件下可高达10000以上，具有非常高的放大能力。这使得SB860D在需要高增益的低频放大电路中表现优异，例如音频功率放大器和传感器信号调理电路。
　　此外，SB860D的饱和压降较低，在4A集电极电流和100mA基极电流条件下，最大值为1.5V，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。这一特性使其在高效率电源转换器、DC-DC变换器和LED驱动电路中具有广泛的应用潜力。
　　最后，SB860D的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，可在极端环境条件下正常运行。这使其成为工业自动化、汽车电子和户外设备等高可靠性要求领域的理想选择。

SB860D广泛应用于多个领域，涵盖工业控制、电源管理、消费电子和汽车电子等方面。
　　在工业自动化领域，SB860D可用于驱动继电器、电磁阀和小型电机，其高耐压和大电流能力使其在PLC（可编程逻辑控制器）和HMI（人机界面）系统中表现出色。此外，该器件也可用于工业电源的开关控制电路，提高系统效率和稳定性。
　　在电源管理方面，SB860D适用于DC-DC转换器、线性稳压器和LED驱动电路。由于其较低的饱和压降和较高的电流增益，能够有效减少导通损耗并提高电源转换效率，特别适合用于中功率电源系统的设计。
　　在消费电子产品中，SB860D可用于音频放大器、电源适配器和电池管理系统。例如，在便携式音响设备中，该晶体管可以作为功率放大器的核心器件，提供清晰的音频输出和稳定的性能。
　　在汽车电子领域，SB860D可用于汽车灯控制模块、电机驱动和车载充电系统。其宽温度范围和高可靠性使其能够适应复杂的汽车工作环境，如高温、振动和电压波动等条件下的稳定运行。

TIP122, BDW93C, NTE236