类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　最大栅源电压（VGSS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：380mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：4V典型值（范围3~6V）
　　总栅极电荷（Qg typ @ VDS=400V, ID=8A）：65nC
　　输入电容（Ciss typ）：1300pF
　　输出电容（Coss typ）：190pF
　　反向恢复时间（trr typ）：58ns
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTP16N50PM具备优异的电气性能和热稳定性，是中高功率开关应用中的理想选择。其核心优势之一在于高达500V的漏源击穿电压，使其能够在高压直流母线系统中安全可靠地工作，例如在离网或并网型太阳能逆变器中处理来自光伏阵列的高压直流输入。该器件的导通电阻典型值为380mΩ，在VGS=10V条件下可实现较低的导通损耗，从而减少发热并提高能效，尤其在持续负载运行时表现突出。由于采用了优化的晶圆工艺，该MOSFET具备良好的跨导特性和稳定的阈值电压，确保了在不同温度和负载条件下的开关一致性。
　　另一个关键特性是其低栅极电荷（Qg typ 65nC）和低输入电容（Ciss约1300pF），这显著降低了驱动电路所需的能量，使控制器可以使用较小的驱动芯片或光耦驱动电路即可完成有效控制，特别适合用于高频PWM调制的应用场景。同时，较短的反向恢复时间（trr≈58ns）意味着体二极管在反向恢复过程中产生的尖峰电压和电磁干扰更小，有助于提升系统的EMI性能，并减少对缓冲电路的依赖。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和重复性雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供额外的安全裕度。TO-247封装提供了良好的散热路径，配合适当的散热器可实现高效的热管理。此外，器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在恶劣工业环境中稳定运行，表现出卓越的长期可靠性。所有这些特性共同使IXTP16N50PM成为高性能功率转换系统中值得信赖的核心元件。

IXTP16N50PM广泛应用于多种高电压、大电流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管使用，能够高效处理数百瓦至数千瓦的功率等级。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC变换的H桥或推挽拓扑结构中，将光伏板产生的直流电高效转换为交流电并馈入电网，其高耐压和低导通损耗特性在此类应用中尤为重要。此外，在不间断电源（UPS）系统中，它常被用于逆变级和旁路开关模块，确保市电中断时仍能稳定输出纯净正弦波。
　　在电机驱动领域，IXTP16N50PM可用于中等功率的交流或直流电机控制电路，如工业风扇、泵类设备和电动工具驱动器中，实现精确的速度调节和能量回馈控制。在感应加热设备中，如电磁炉、金属熔炼装置等，该MOSFET可工作于谐振拓扑（如LLC或串联谐振），利用其快速开关特性和低电容优势实现高效能量传输。此外，它也适用于高电压直流继电器替代、固态开关、电焊机电源模块以及高压电源供应器等工业控制和能源转换系统。得益于其坚固的封装和出色的热性能，即使在长时间满负荷运行条件下也能保持稳定性能。

STP16NF50
　　IRFP460LC
　　FQP16N50