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IS43DR16320C-25DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:33:07 查看 阅读:3

IS43DR16320C-25DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能DRAM芯片。该芯片属于异步DRAM类型,具有较大的存储容量和较快的访问速度,适用于需要快速数据读写的应用场合。IS43DR16320C-25DBLI采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗的特点,适合在多种电子设备中使用。

参数

存储容量:512K x 16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS43DR16320C-25DBLI具有出色的性能和可靠性。其25ns的访问时间使其能够在高速应用中提供快速的数据读写能力,确保系统运行的流畅性。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其具有良好的兼容性,能够适应不同的电源环境。采用TSOP封装,54引脚的设计不仅提供了良好的散热性能,还便于在PCB上的安装和布局。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛的工业环境。此外,IS43DR16320C-25DBLI的低功耗设计有助于减少设备的能耗,延长电池寿命,适用于对功耗敏感的应用场景。

应用

IS43DR16320C-25DBLI广泛应用于工业控制设备、通信设备、消费电子产品和嵌入式系统中。例如,在工业控制设备中,该芯片可用于存储和处理大量数据;在通信设备中,它能够提供高速的数据缓存功能;在消费电子产品中,如智能电视和游戏机,它能够支持复杂的数据处理任务;在嵌入式系统中,该芯片可用于各种需要快速数据读写的场合。

替代型号

IS43DR16320C-25DBLI-A,IS43DR16320C-25DBL

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IS43DR16320C-25DBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格209 : ¥51.80938托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)