SB8100FCT 时间：2025/8/15 14:11:34 阅读：18

SB8100FCT是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效开关性能的电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。SB8100FCT通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

SB8100FCT具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，漏源电压可达100V，适用于中高压功率转换场景。此外，其高栅极电压耐受能力（±20V）增强了在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
　　SB8100FCT采用TO-263封装形式，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该封装形式还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高PCB布局的灵活性。此外，该MOSFET具备快速开关能力，减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　从材料和工艺角度来看，SB8100FCT采用先进的Trench MOSFET技术，优化了载流子流动路径，从而进一步降低导通电阻。同时，该器件具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，适用于如汽车电子、工业控制等严苛应用环境。

应用

SB8100FCT广泛应用于多种功率电子系统中。在DC-DC转换器中，该器件用于高效升压或降压电路，实现电能的高效转换。在电机控制应用中，SB8100FCT作为功率开关，控制电机的启停和速度调节。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS），实现电池充放电控制和保护功能。
　　在负载开关电路中，SB8100FCT用于控制电源的通断，实现对负载的精确管理。在服务器和通信设备的电源模块中，该MOSFET用于高效率电源转换和负载调节。此外，该器件也适用于电源管理系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动车充电模块等应用场景。