型号：GP30B60KD
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V
　　最大RMS电压（VRMS）：420V
　　最大直流阻断电压（VDC）：600V
　　平均整流电流（IO）@ Ta=50°C：30A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）@ 8.3ms sine：300A
　　最大正向电压降（VF）@ 30A, TJ=25°C：1.7V
　　最大漏电流（IR）@ 600V, TJ=25°C：1.0mA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W
　　封装类型：TO-247

GP30B60KD的核心优势在于其出色的电气性能与高功率处理能力。首先，该器件采用了优化设计的肖特基势垒结构，在保证高反向耐压的同时实现了较低的正向导通压降，典型值在30A电流下仅为1.7V左右，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这对于高功率密度电源尤为重要，有助于减少发热并提升能量利用率。其次，作为一款无PN结的金属-半导体二极管，它不具备少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，几乎为零，极大地减少了开关过程中的动态损耗，避免了传统快恢复二极管常见的电压尖峰和电磁干扰问题，提升了系统稳定性。
　　该器件具有高达300A的非重复浪涌电流承受能力，能够在瞬态过载或开机冲击条件下安全运行，增强了系统的鲁棒性。同时，其工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持可靠工作，适用于恶劣工况下的工业与能源类应用。TO-247封装不仅提供了优良的机械强度，还具备较低的热阻（1.2°C/W），有利于热量从PN结传导至外部散热器，从而有效控制温升，延长器件寿命。此外，GP30B60KD通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，确保长期使用的稳定性。
　　值得一提的是，尽管肖特基二极管通常受限于较低的反向耐压，但GP30B60KD成功将这一指标提升至600V级别，突破了传统认知限制，属于高压肖特基产品线中的高端型号。这使其能够在更高电压场合替代部分快恢复二极管或超快恢复二极管，在降低损耗的同时简化电路设计。器件还具备良好的抗雪崩能力，在异常电压应力下不易发生永久性损坏，进一步提升了安全性。总之，GP30B60KD凭借其高压、大电流、低损耗、高可靠性的综合表现，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件之一。

GP30B60KD广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。最常见的应用场景是开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为输出整流二极管使用。由于其低正向压降特性，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率，特别适用于服务器电源、通信电源模块以及工业级电源供应器等对能效要求较高的场合。
　　在光伏逆变器系统中，GP30B60KD可用于直流侧的防反接保护或辅助电源整流电路，其高耐压能力和大电流承载性能可有效应对太阳能板输出电压波动及瞬态冲击。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统中，该器件也常用于电池充放电管理回路或逆变桥臂的续流路径，保障系统在切换过程中的稳定运行。
　　电动汽车充电桩、车载充电机（OBC）以及电机驱动器中的辅助电源部分同样可以采用GP30B60KD进行高效整流。其TO-247封装便于集成到紧凑型模块中，并可通过外接散热器实现良好热管理，适应长时间高负荷运行需求。
　　除此之外，该器件还可用于焊接设备、感应加热装置、LED大功率驱动电源等工业与消费类电子设备中，作为主整流或续流元件。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于户外或极端环境下的应用，例如基站电源、轨道交通控制系统等。总体而言，凡是需要高压、大电流且追求高效率整流功能的场景，GP30B60KD都是一种理想的选择。

GBU30J, GBU30K, MUR3060PTG, IXYS IXYS DSEI30-06A