时间：2025/5/19 19:19:50
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IPB042N10N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术，具备低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于各种高效能功率转换应用。其封装形式为 TO-252 (D2PAK)，能够提供良好的散热性能和易于 PCB 布局设计。
该器件的主要应用领域包括电机驱动、开关电源、DC-DC 转换器以及负载切换等。由于其出色的电气特性和可靠性，IPB042N10N3 G 成为许多工程师在功率管理设计中的首选。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：80mΩ
栅极电荷（典型值）：17nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-252 (D2PAK)
IPB042N10N3 G 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更低的传导损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关特性使其适合高频操作，有助于减小无源元件尺寸并降低整体解决方案成本。
3. 内置防静电保护功能增强了器件的鲁棒性。
4. 小巧且高效的封装形式使得其可以轻松集成到紧凑型设计中。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
6. 广泛的工作温度范围保证了其在极端环境下的稳定运行。
IPB042N10N3 G 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级或次级侧开关。
2. 各种 DC-DC 转换器，例如降压、升压及反激拓扑。
3. 电池管理系统中的负载切换和保护。
4. 小型电机驱动控制，如家用电器、电动工具和自动化设备。
5. 工业电子中的功率逆变器和伺服驱动器。
6. 通信设备中的电源管理和信号调节。
IPP040N10N3 G, IPP045N10N3 G
