SSM3K56FS是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理和负载开关场合。该器件采用TSON(Thin Small Outline No-lead)封装,具有良好的热性能和空间节省设计,适合便携式设备和高密度电路设计。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):-30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-5.6A
导通电阻(Rds(on)):17mΩ(典型值,Vgs = -4.5V)
功率耗散:2W
工作温度范围:-55°C至150°C
SSM3K56FS具备优异的导通性能和低导通电阻,使其在高负载电流应用中保持较低的功率损耗。其低栅极电荷特性有助于提高开关速度,从而减少开关损耗,提升整体系统效率。此外,该器件的封装设计提供了良好的散热性能,同时减少了PCB布局所需的空间,非常适合空间受限的设计场景。
该MOSFET在设计上优化了跨导(gm)特性,使其在宽泛的工作条件下都能保持良好的线性度和稳定性。其低阈值电压(Vgs(th))确保了在较低的控制电压下仍能实现完全导通,适用于多种电压级别的控制电路。
另外,SSM3K56FS具有良好的抗静电能力(ESD保护),增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性。其结构设计也优化了短路和过热保护能力,有助于延长器件的使用寿命并提升系统的稳定性。
SSM3K56FS适用于多种电源管理与开关控制应用,包括但不限于:便携式电子设备的电源开关、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关控制、工业自动化设备中的电源分配系统以及各类需要高效P沟道MOSFET的场合。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它也常用于高效率同步整流电路中,以提升电源转换效率。
Si2302DS, TPS2812, AO4406A, FDC6303