SSM3K56FS 时间：2025/7/22 9:43:58 阅读：7

SSM3K56FS是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理和负载开关场合。该器件采用TSON（Thin Small Outline No-lead）封装，具有良好的热性能和空间节省设计，适合便携式设备和高密度电路设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-5.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（典型值，Vgs = -4.5V）
　　功率耗散：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

SSM3K56FS具备优异的导通性能和低导通电阻，使其在高负载电流应用中保持较低的功率损耗。其低栅极电荷特性有助于提高开关速度，从而减少开关损耗，提升整体系统效率。此外，该器件的封装设计提供了良好的散热性能，同时减少了PCB布局所需的空间，非常适合空间受限的设计场景。
　　该MOSFET在设计上优化了跨导（gm）特性，使其在宽泛的工作条件下都能保持良好的线性度和稳定性。其低阈值电压（Vgs(th)）确保了在较低的控制电压下仍能实现完全导通，适用于多种电压级别的控制电路。
　　另外，SSM3K56FS具有良好的抗静电能力（ESD保护），增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性。其结构设计也优化了短路和过热保护能力，有助于延长器件的使用寿命并提升系统的稳定性。

应用

SSM3K56FS适用于多种电源管理与开关控制应用，包括但不限于：便携式电子设备的电源开关、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备中的电源分配系统以及各类需要高效P沟道MOSFET的场合。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它也常用于高效率同步整流电路中，以提升电源转换效率。