SB40W03T-TL-E是一款由Aerosemi(艾尔森半导体)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装SMA(DO-214AC)封装,专为高效率、低压降的整流应用而设计。该器件结合了肖特基二极管低正向导通电压和快速反向恢复时间的优势,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路等场合。其额定平均整流电流可达4.0A,最大重复峰值反向电压为30V,适用于中低电压功率转换系统。由于其封装形式紧凑且热性能良好,SB40W03T-TL-E适合在空间受限但要求高功率密度的电子产品中使用,如便携式设备充电器、LED驱动电源和消费类电子适配器。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,具备良好的可靠性和长期稳定性。
类型:肖特基二极管
配置:单路
封装/外壳:SMA(DO-214AC)
安装方式:表面贴装
平均整流电流(Io):4.0A
最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
最大直流阻断电压(VR):30V
最大正向压降(VF@IF=4A):0.58V @ 4A
最大反向漏电流(IR@25°C):0.5mA @ 30V
工作结温范围(Tj):-65℃ ~ +125℃
储存温度范围(Tstg):-65℃ ~ +150℃
反向恢复时间(trr):典型值5ns
热阻(RθJA):约60℃/W
引脚数:2
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
SB40W03T-TL-E的核心特性之一是其低正向导通电压(VF),在4A的工作电流下最大仅为0.58V。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效,尤其适用于对能效要求较高的电源设计。传统的PN结二极管通常具有0.7V以上的导通压降,而肖特基结构利用金属-半导体接触形成势垒,有效降低了载流子注入所需的能量门槛。因此,在大电流持续导通的应用中,例如同步整流辅助电路或电池充放电路径中,SB40W03T-TL-E能够大幅减少发热,提升系统热管理能力。此外,较低的VF也意味着更小的电压应力,有助于延长周边元器件的寿命并提高系统可靠性。该器件在高温环境下仍能保持较好的VF稳定性,确保在恶劣工况下的性能一致性。
另一个关键特性是其极快的反向恢复时间(trr),典型值仅为5ns。由于肖特基二极管属于多数载流子器件,几乎不存在少数载流子的存储效应,因此在从导通切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷(Qrr)。这使得SB40W03T-TL-E在高频开关电路中表现出色,可有效抑制因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰(EMI)。相比传统快恢复二极管,它更适合用于高频DC-DC变换器、PWM控制电源以及需要快速换向的桥式整流拓扑中。快速的响应能力还能减少开关损耗,进一步优化电源效率,并允许设计者选用更高频率的开关器件以缩小磁性元件体积,实现小型化设计。
该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有较小的占板面积和良好的散热性能。SMA封装的热阻约为60℃/W,能够在有限的空间内有效传导热量,配合PCB上的散热焊盘可进一步提升热耗散能力。这种封装形式便于自动化贴片生产,兼容回流焊工艺,适合大规模工业化制造。同时,器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温贮存(HTSL)和温度循环等项目,确保在复杂环境下的长期稳定运行。此外,产品符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,满足现代绿色电子产品的环保需求。
SB40W03T-TL-E主要应用于各类中低电压、中等电流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,特别是在降压型(Buck)、升压型(Boost)和反激式(Flyback)拓扑结构中作为次级侧整流二极管使用。由于其低VF和快速trr特性,特别适合用于高效率DC-DC转换模块,如通信设备电源、服务器电源单元和嵌入式系统供电模块。此外,该器件还广泛用于便携式电子设备的充电电路中,例如手机、平板电脑和笔记本电脑的适配器,起到防止反向电流和保护电池的作用。在LED照明驱动电源中,SB40W03T-TL-E可用于续流二极管,保障电流连续性并提升光效稳定性。工业控制领域中,它常被用于逆变器、UPS不间断电源和电机驱动电路中的箝位与保护功能。太阳能光伏系统中的旁路二极管也常采用此类高性能肖特基器件以减少能量损失。此外,还可用于汽车电子中的低压直流转换系统(如12V转5V/3.3V)以及消费类家电的开关电源模块。得益于其紧凑封装和高可靠性,SB40W03T-TL-E已成为众多中小型功率电源设计中的首选整流元件之一。
SRB4030CT
SB4030
MBR430T
MBR430
SS4030
AP4030S