时间：2025/8/25 5:26:26
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H09 J5027-R是一款高压、高频、高可靠性的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），主要用于电力电子设备中，例如变频器、电源模块、电动汽车充电设备等。这款器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，使其在高功率应用中具有较高的效率和稳定性。
类型：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：27A
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
栅极阈值电压（VGE(th)）：约5.5V
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（在IC=27A时）
短路耐受能力：有
绝缘等级：符合UL认证
H09 J5027-R具备优异的热管理和高耐压能力，能够在高温和高电压条件下稳定工作。其封装设计提供了良好的散热性能，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。此外，该IGBT具有较低的导通压降，有助于减少能量损耗并提高整体系统效率。该器件还具备一定的短路耐受能力，提高了在异常工况下的安全性。其栅极驱动电路设计较为简单，兼容标准的MOSFET驱动器，方便集成到各种功率系统中。
该器件广泛应用于交流电机驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电模块、工业自动化设备和高频开关电源等高功率场合。其高耐压和大电流能力使其在需要高效率和高可靠性的电力电子系统中具有优势。
FGA25N120ANTD, IRGP4063, IKW25N120H3
