时间：2025/8/6 5:55:00
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IXTV18N60P是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率应用。这款MOSFET设计用于高效的电力转换和控制，广泛应用于电源、电机控制和逆变器等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流：18A
最大漏极-源极电压：600V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
IXTV18N60P具有低导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率应用中表现出色。其高耐压能力确保了在高压环境下的稳定运行。此外，该器件的热阻低，能够在高温度环境下保持良好的散热性能。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统效率。其封装设计有助于简化电路板布局，并提供良好的电气隔离和机械保护。
该器件的栅极驱动要求相对较低，能够在广泛的栅极电压范围内稳定工作。此外，IXTV18N60P具有良好的抗过载和短路能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。这种MOSFET的高可靠性和耐用性使其成为工业和电力电子应用的理想选择。
IXTV18N60P常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种高功率电子设备中。其高耐压和高电流特性使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
STP18N60C3, FQP18N60C
