时间：2025/12/27 3:01:05
阅读：11
JS28F128P30TF75A是一款由英特尔（Intel）推出的128兆位（Mbit）的NOR闪存芯片，属于其StrataFlash Embedded Memory系列。该器件采用先进的MirrorBit技术，能够在单个存储单元中存储两个独立的比特信息，从而显著提高存储密度并降低每比特成本。此芯片广泛应用于需要高可靠性、快速读取性能和低功耗特性的嵌入式系统中，如网络设备、工业控制、通信基础设施以及汽车电子等领域。JS28F128P30TF75A支持多种电压操作模式，具备良好的兼容性和灵活性，适合在复杂环境中长期稳定运行。其封装形式为64引脚薄型四侧引脚扁平封装（Thin Quad Flat Package, TFQFP），便于在空间受限的应用中实现紧凑布局。此外，该器件集成了智能写入状态检测、硬件复位和安全保护等功能，增强了系统的整体可靠性和数据安全性。
制造商：Intel
产品系列：StrataFlash
存储容量：128 Mbit
组织结构：16 MB x 8/16
工艺技术：MirrorBit
工作电压：2.7V 至 3.6V
访问时间：75 ns
封装类型：64-TFQFP
引脚数：64
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区或整片擦除
写保护功能：支持硬件与软件写保护
总线宽度：可配置为8位或16位模式
JS28F128P30TF75A采用英特尔独有的MirrorBit技术，这项创新技术通过在氮化物层中创建两个物理上分离但位于同一单元内的电荷存储区域，实现了在一个存储单元中存放两个独立数据位的能力。这种双位存储机制不仅使存储密度翻倍，还有效降低了制造成本，并提升了芯片的整体性能。由于每个位的编程和擦除操作是独立进行的，因此即使其中一个位发生故障，另一个位仍可正常工作，从而提高了数据的可靠性。
该器件支持高性能的读取操作，典型访问时间为75纳秒，能够满足高速处理器对快速代码执行的需求，特别适用于需要XIP（eXecute In Place）功能的应用场景，即直接从闪存中运行程序代码而无需先加载到RAM中。这对于减少系统延迟、节省内存资源具有重要意义。
在电源管理方面，JS28F128P30TF75A具备多种省电模式，包括自动待机和深度掉电模式，可根据系统需求动态调整功耗水平，在保证性能的同时最大限度地延长电池寿命。此外，芯片内置电荷泵电路，可在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压，无需外部提供额外的VPP电源，简化了系统设计并减少了外围元件数量。
为了增强数据完整性，该器件集成了智能写入状态机（IWS），可自动完成编程和擦除操作，并通过查询特定状态位来判断操作是否成功完成，避免了复杂的时序控制。同时支持硬件复位功能，当系统异常时可通过拉低RESET引脚使芯片恢复到已知的安全状态，提升系统稳定性。所有关键寄存器和命令序列均受写保护机制保护，防止因误操作或电磁干扰导致的数据损坏。
JS28F128P30TF75A因其高可靠性、快速读取速度和宽温工作能力，被广泛应用于各类嵌入式系统中。在网络通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储固件、引导程序和配置数据，确保设备在上电后能迅速启动并进入工作状态。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程终端单元（RTU），为其提供稳定的非易失性存储解决方案。
在汽车电子系统中，JS28F128P30TF75A适用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和高级驾驶辅助系统（ADAS），支持长时间高温环境下的可靠运行，符合AEC-Q100等汽车级可靠性标准的要求。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天等对数据完整性和系统稳定性要求极高的领域，该芯片也表现出色，能够承受恶劣的工作条件并保持数据不丢失。
由于其并行接口设计，适合与多种微处理器和DSP直接连接，尤其适用于需要大容量本地代码存储且对实时性要求较高的应用场景。配合嵌入式操作系统如VxWorks、FreeRTOS或Linux使用时，可实现高效的内存映射和快速启动功能。同时，其扇区擦除粒度允许对部分数据进行更新而不影响其余内容，非常适合需要频繁更新参数或日志记录的系统。
MT28EW128ABA-75:A
