类型：功率MOSFET模块
　　结构：半桥结构（High-Side + Low-Side）
　　最大漏极电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：2A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约50nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247 或 DIP-6
　　功率耗散（Ptot）：约2W
　　

2R1200T-8 功率MOSFET模块具有多项出色的电气和热性能，适用于各种高功率电子系统。首先，其高漏极电压耐受能力（高达1200V）使其非常适合用于高压电源转换器和逆变器应用。此外，该模块的最大漏极电流为2A，可以支持中等功率的负载切换。模块内部的两个MOSFET构成半桥结构，这大大简化了电路设计，特别是在需要高低侧驱动的拓扑结构中。
　　导通电阻（Rds(on)）约为1.5Ω，虽然这一数值相对较高，但在中低电流应用中仍然可以接受。栅极电荷（Qg）约为50nC，这意味着在高频开关应用中需要一定的驱动功率，但可以通过适当的栅极驱动电路进行优化。
　　该模块的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适应性强，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其封装形式通常为TO-247或DIP-6，便于安装和散热管理。功率耗散约为2W，在设计时需要考虑适当的散热措施，以确保长期稳定运行。
　　此外，2R1200T-8 模块还具有良好的抗干扰能力和较高的可靠性，适用于工业控制、电机驱动和开关电源等应用领域。

2R1200T-8 MOSFET模块广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高压和中等电流切换的场合。其半桥结构使其非常适合用于DC-AC逆变器，例如在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动器中。此外，该模块也可用于DC-DC转换器，如Boost或Buck转换器，实现高效的电压调节。在工业自动化领域，2R1200T-8 常用于控制继电器、电磁阀和小型电机的开关操作。由于其良好的热性能和宽工作温度范围，该模块也适用于户外或工业环境中的高可靠性电源系统。

SGM6060、IRF120N10D、FDPF120N10A、STP120N10F7