产品类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40 V
　　最大直流反向电压（VR）：40 V
　　最大正向电流（IF）：1 A（每条支路）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：5 A
　　正向电压（VF）：典型值 0.38 V @ 0.5 A，最大值 0.55 V @ 1 A（Ta=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大 1 μA @ 25°C，100 μA @ 105°C
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约 150 K/W（取决于PCB布局）
　　封装类型：HVQFN 1.6 x 1.6 mm，4引脚
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C（Tj）
　　引脚数：4
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C回流焊）
　　符合标准：RoHS，无卤素（Halogen-free）

SB2P-HVQ-116(LF)(SN) 的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关性能的结合。得益于肖特基势垒结构，该器件在正向导通时几乎没有少数载流子存储效应，因此具有极短的反向恢复时间（trr < 1 ns），远优于传统PN结二极管，这使得它能够在高频开关电路中有效降低开关损耗，提升整体系统效率。其典型正向压降仅为0.38V（在0.5A条件下），即使在满载1A电流下也保持在0.55V以内，显著减少了导通期间的功率损耗（I2R 损耗），有助于改善热管理并延长电池供电设备的工作时间。该器件采用共阴极配置，两个独立二极管可分别用于双路信号或电源路径的保护与整流，尤其适合用于双通道DC-DC转换器输出端的续流或防止反向电流。
　　该器件的HVQFN 1.6 x 1.6 mm封装不仅体积小巧，节省宝贵的PCB空间，而且底部带有散热焊盘，能够通过PCB上的热过孔有效传导热量，提升热稳定性与长期可靠性。其热阻抗RθJA约为150 K/W，具体数值受PCB铜箔面积和布局影响，合理设计可进一步降低温升。器件支持最高150°C的结温，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。此外，低反向漏电流特性（室温下仅1μA）确保了在待机或低功耗模式下的系统能耗极低，不会因漏电造成不必要的能量浪费。所有材料均符合RoHS与无卤素要求，满足现代电子产品对环保与安全性的严格规范。

SB2P-HVQ-116(LF)(SN) 广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品的电源管理单元，如智能手机和平板电脑中的电池充电路径反向保护，防止电池反接损坏主控芯片；在USB接口、Type-C端口等数据与电源接口中用作瞬态电压抑制（TVS）辅助钳位器件，吸收静电放电（ESD）或浪涌能量，提升系统鲁棒性；在DC-DC转换器和开关电源中作为续流二极管或OR-ing二极管使用，实现高效的能量回馈与多电源路径选择；在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝模块）中用于射频前端偏置电路的电压整流与隔离；也可用于传感器信号调理电路中的电平钳位与噪声抑制。此外，该器件适用于工业控制、物联网（IoT）节点、可穿戴设备和智能家居终端等对空间和功耗高度敏感的应用场景。

SB2P-HVQ-116