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1N5356BRLG 发布时间 时间:2025/5/12 19:35:27 查看 阅读:6

1N5356BRLG是一种硅雪崩整流二极管,广泛应用于各种电路中以实现电压箝位和保护功能。该器件具有快速响应、低电容和高浪涌能力的特点,能够在瞬态电压抑制(TVS)应用中提供可靠的保护。

参数

最大反向工作电压:80V
  最大击穿电压:87V
  最小击穿电压:73V
  峰值脉冲电流:39A
  钳位电压:121V
  结电容:4.8pF
  反向漏电流:1μA(在25℃时)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1N5356BRLG采用了先进的硅雪崩技术,具有优异的瞬态抑制能力和低动态阻抗。
  其快速响应时间使其非常适合用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和其他瞬态电压事件的影响。
  此外,该二极管具备较高的可靠性,在高温环境下也能保持稳定的性能。
  其小型化封装设计使得它能够轻松集成到空间受限的应用中。

应用

该元器件主要用于保护通信接口、数据线和电源线免受瞬态电压冲击。
  典型应用包括以太网端口保护、USB端口保护、RS-232/RS-485接口保护以及开关电源输入保护等。
  同时,它也适用于汽车电子系统中的瞬态电压抑制,例如CAN总线保护和点火系统保护。

替代型号

1N5356BRCT, 1N5356BRL

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1N5356BRLG参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)19V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 14.4V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)3 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C