容量：32 Mbit (4 MB)
　　电压范围：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：8-Pin SOIC / WSON
　　接口类型：SPI, QSPI
　　时钟频率：最高 80 MHz
　　编程时间：典型值 0.7 ms/页
　　擦除时间：批量擦除约 30 ms，扇区擦除约 0.8 ms
　　输入/输出电平：CMOS 兼容
　　待机电流：典型值 15 μA
　　工作电流：读取时典型值 12 mA
　　写保护功能：支持软件与硬件写保护
　　SFDP 支持：是
　　可靠性：耐久性 100K 次编程/擦除周期，数据保持 20 年

S71GL032N80BFW0P0 具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中理想的串行闪存选择。首先，它支持多种工作模式，包括标准 SPI 模式（Single IO）、Dual Output/IO 和 Quad Output/IO 模式，在 Quad 模式下可实现高达 320 Mbps 的理论传输速率（80 MHz × 4 位），显著提升数据读取效率，特别适用于需要 XIP（eXecute In Place）的应用场景，如 Bootloader 存储、固件更新和图形资源加载等。其内部结构划分为 512 个扇区（每扇区 64 KB）和 8192 个页面（每页 256 字节），支持灵活的擦除与编程操作，并可通过软件指令启用局部块锁定功能，实现对特定区域的数据保护。
　　其次，该器件集成了丰富的控制与状态管理功能。通过读取状态寄存器，主机可以实时监控设备是否处于忙状态（Busy Bit）、写使能状态、保护区域设置以及是否启用了 QE（Quad Enable）位。写操作前必须执行 Write Enable 命令，增强了操作安全性。同时支持深度省电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至几微安级别，非常适合电池供电或低功耗应用。器件还具备抗干扰能力强、ESD 防护等级高等优点，符合工业级电磁兼容性要求。
　　再者，S71GL032N80BFW0P0 支持统一扇区架构与传统均匀扇区架构之间的兼容性切换，并可通过 OTP（One-Time Programmable）寄存器配置部分永久性设置。出厂时已预编程唯一 ID（Device ID 和 Manufacturer ID），便于系统进行身份识别与版本管理。所有编程与擦除操作均在片内电荷泵支持下完成，无需外部高压电源，简化了电源设计。整个生命周期内保证至少 10 万次的编程/擦除循环寿命和 20 年的数据保存能力，满足长期部署系统的可靠性需求。

S71GL032N80BFW0P0 被广泛用于各类需要可靠、高速非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和基站设备中的固件存储，用于实现快速启动和安全升级；在工业自动化领域，常用于 PLC 控制器、HMI 人机界面和传感器模块中存储配置参数与程序代码；在汽车电子系统中，可用于 ADAS 辅助驾驶单元、车载信息娱乐系统（IVI）和仪表盘控制器中存放启动代码和校准数据，其宽温特性和高可靠性满足 AEC-Q100 相关等级要求（视具体型号而定）。
　　此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如智能电视、机顶盒、打印机、数码相机等设备中作为主控 MCU 的外挂闪存，支持直接执行操作系统或应用程序代码（XIP），减少 RAM 占用并加快响应速度。在物联网终端设备中，可用于存储加密密钥、设备证书和日志数据，结合其低功耗特性延长电池使用寿命。由于其小尺寸封装和高集成度，也非常适合可穿戴设备和便携式医疗仪器使用。开发人员还可利用其 SFDP 特性实现通用驱动适配，降低不同平台间的移植成本，提高开发效率。

S25FL032L
　　IS25LP032D
　　W25Q32JV
　　MX25L3206E