时间：2025/4/28 9:26:17
阅读：29
TF010N04NG 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足高效能电力转换的需求。
该型号属于沟槽式 MOSFET 结构，优化了其在高频开关应用中的表现，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：12A
导通电阻：1.5mΩ
栅源开启电压：2V~4V
总栅极电荷：38nC
输出电容：1350pF
工作结温范围：-55℃~175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使其非常适合高效率的应用场景。
2. 高频开关能力得益于较小的栅极电荷和输出电容。
3. 良好的热稳定性确保器件能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. 紧凑的封装形式（如 TO-220 或 DPAK）便于电路设计与散热管理。
5. 内置 ESD 保护功能提高了产品的抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电池管理系统（BMS）
7. LED 驱动器
8. 电动车及电动工具的功率模块
IRFZ44N
STP12NM50
FDP159N
IXTH12N50P
