型号：RB238NS150
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：22A（在TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：88A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：最大7.3mΩ（@ VGS=10V, ID=11A）
　　导通电阻RDS(on)：最大9.2mΩ（@ VGS=4.5V, ID=9A）
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.5V，范围1.0V~2.5V
　　输入电容Ciss：约1900pF（@ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：约650pF
　　反向传输电容Crss：约140pF
　　栅极电荷Qg：约27nC（@ VDS=20V, ID=11A, VGS=10V）
　　开启延迟时间td(on)：约15ns
　　关断延迟时间td(off)：约25ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

RB238NS150采用高性能沟槽型MOSFET结构，实现了极低的导通电阻RDS(on)，这有助于显著减少在大电流工作条件下的导通损耗，从而提高电源系统的整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大仅为7.3mΩ，在VGS=4.5V时也仅为9.2mΩ，表明该器件不仅在标准驱动电压下表现优异，还能在较低栅压条件下稳定工作，兼容多种逻辑电平驱动电路，如3.3V或5V微控制器输出，增强了系统设计的灵活性。
　　该器件具有优良的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg ≈ 27nC）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关应用中可以有效降低驱动损耗和开关过渡时间，减少电磁干扰（EMI）并提升转换效率。同时，较小的输入电容（Ciss ≈ 1900pF）使得驱动电路负担更轻，适合用于高频DC-DC变换器、同步整流器等对响应速度要求较高的场合。
　　RB238NS150内置的封装优化设计提供了良好的热传导性能，SOP-8封装虽然体积小巧，但通过内部引线布局和铜夹技术提升了散热能力，使其能够在较高功率密度下可靠运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在严苛环境下的长期稳定性。此外，其具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，提高了在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性，适用于工业自动化、电动工具、电池管理系统等对可靠性要求高的场景。

RB238NS150凭借其低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，被广泛应用于各类中低电压功率转换系统中。常见用途包括但不限于：同步降压型DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管，用于笔记本电脑、服务器电源模块、通信设备供电单元等高效电源设计；电池供电设备中的电源开关，如移动电源、无人机、电动自行车控制器等，用于实现高效的充放电管理与负载切换；电机驱动电路中作为H桥或半桥拓扑的开关元件，适用于小型直流电机、步进电机控制；此外，还可用于LED照明驱动、热插拔控制器、电源多路复用器以及各类需要快速开关响应的数字电源系统。由于其SOP-8封装支持表面贴装工艺，非常适合自动化生产与高密度PCB布局，因此在消费类电子产品和工业控制板卡中均有广泛应用。

Si4336DDY-T1-GE3,Renesas HAT2165HRA,NXP PMV16XPEA,ON Semiconductor FDMC8878