类型：三相肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　配置：三个独立肖特基二极管
　　最大重复反向电压 VRRM：100V
　　最大直流反向电压 VR：100V
　　平均整流电流 IO（每芯片）：1A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：30A（8.3ms 半正弦波）
　　正向电压 VF（典型值）：0.54V @ 1A, 25°C
　　反向漏电流 IR（最大值）：0.1mA @ 100V, 25°C
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗 RθJA：约150°C/W（取决于PCB布局）
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：3
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260°C，最大4周）
　　无卤素：是（符合IEC 61249-2-21标准）

S3P-VH(LF)采用了Vishay专有的沟槽式肖特基（Trench Schottky）技术，这项技术通过在硅片上刻蚀微米级沟槽并在其中形成金属-半导体接触，有效减少了传统平面肖特基二极管中存在的边缘电场集中问题，从而显著提升了器件的反向击穿电压能力和热稳定性。相比于普通肖特基二极管，这种结构能够在保持低正向压降的同时，大幅降低高温下的反向漏电流，这对于在高负载或高温环境中工作的电源系统尤为重要。例如，在125°C结温下，其反向漏电流仍能维持在较低水平，避免因漏电增加而导致的功率损耗上升和热失控风险。
　　该器件的三相配置意味着在同一SMA封装内集成了三个独立的肖特基二极管，每个二极管均可承载最高1A的平均整流电流，适用于多路输出或并联使用以提高总电流能力的设计需求。这种集成化设计不仅节省了PCB空间，还简化了布线复杂度，提升了系统的紧凑性和可靠性。此外，每个二极管之间的电气隔离良好，互扰小，确保各通道独立稳定工作。
　　S3P-VH(LF)具备出色的动态响应特性，开关速度快，几乎没有反向恢复时间（trr极短），因此在高频开关应用中可显著减少开关损耗，提升整体转换效率。这一特性使其非常适合用于同步整流拓扑中替代传统的快恢复二极管或MOSFET驱动复杂电路，尤其在低压大电流输出的DC-DC变换器中表现优异。
　　从可靠性角度看，该器件经过严格的工业级测试认证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环等试验，确保长期运行的稳定性。其表面贴装封装支持自动化贴片工艺，兼容回流焊流程，且热阻抗较低，配合良好的PCB铜箔设计可有效散热，延长使用寿命。此外，无卤素设计符合全球环保法规要求，有利于产品通过国际安全与环境认证。

S3P-VH(LF)广泛应用于各类中低功率电源转换系统中，特别是在追求高效率和小型化的应用场景中表现出色。其主要应用领域包括但不限于：DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管或箝位二极管，用于防止电感反电动势损坏开关器件；在同步整流电路中作为辅助二极管，协助MOSFET实现高效能量回馈；在电池管理系统（BMS）中用于防止反向充电或实现多电池组间的隔离保护；以及在适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中承担整流和防倒灌功能。
　　此外，该器件也常用于通信设备的电源模块中，如路由器、交换机和基站供电单元，因其具备良好的高频响应和低噪声特性，有助于提升整个系统的电磁兼容性（EMC）性能。在工业控制领域，S3P-VH(LF)可用于PLC电源、传感器供电电路和电机驱动器中的保护与整流环节，提供可靠的电压箝位和瞬态抑制能力。
　　由于其100V的反向耐压等级，该器件适用于12V至48V的中间母线电压系统，常见于电信标准电源架构（如3.3V、5V、12V输出）中。它也可用于太阳能充电控制器、便携式医疗设备和汽车电子中的辅助电源部分，在这些对可靠性和效率要求较高的场合发挥关键作用。总之，凡是在需要低VF、快速开关、高温稳定性和紧凑封装的二极管应用中，S3P-VH(LF)都是一个极具竞争力的选择。

SS34
　　SB3100
　　MBR140
　　SR30100