时间：2025/8/2 2:34:09
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CS4N60A3HD 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高效率、高频率的功率转换应用，如电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统等。CS4N60A3HD 采用了先进的高压工艺技术，使其能够在高电压和高电流条件下保持稳定的工作性能，同时具备较低的导通电阻和开关损耗。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
CS4N60A3HD 功率 MOSFET 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其漏源电压高达 600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计。其次，漏极电流额定值为 4A，适合中等功率的负载控制。其导通电阻为 2.5Ω，这在同级别器件中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，CS4N60A3HD 的栅极阈值电压范围为 2V~4V，兼容常见的逻辑电平控制电路，便于与微控制器或其他数字控制器件配合使用。
该器件的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和消费类应用。TO-220 封装便于安装在散热片上，有助于提高器件在高负载条件下的热稳定性。CS4N60A3HD 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够适应较为恶劣的环境条件，确保在高温或低温环境下仍能稳定工作。
在开关特性方面，CS4N60A3HD 的输入电容和输出电容较低，使得其在高频开关应用中具有更低的开关损耗。这对于需要高频操作的电源拓扑结构（如反激式、正激式和 LLC 谐振转换器）非常重要。此外，该器件具备较强的雪崩能量耐受能力，能够在异常工况下保护自身免受损坏。
CS4N60A3HD 常用于多种功率电子系统中，尤其是在电源管理和电机控制领域。典型应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池充电器、光伏逆变器、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备中的功率开关控制。由于其高电压和中等电流能力，CS4N60A3HD 特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计，例如适配器、充电器和小型电源模块。在消费类电子产品中，该器件可用于智能家电、电动工具和节能照明系统等应用中，提供稳定的功率控制和高效的能量转换。
FQP4N60C, STP4NK60Z, IRFBC40
