时间：2025/6/21 8:05:54
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GJM0335C1E5R6BB01J 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高功率应用场景。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻，广泛应用于电源管理、射频放大器以及通信系统中。其设计优化了效率和热性能，能够显著提高系统的整体表现。
该型号属于某厂商的高性能 GaN HEMT 系列产品，采用增强型结构，确保在正栅极电压下导通。其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，便于集成到各种电路设计中。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：40nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高开关频率支持，适合高频应用环境。
2. 极低的导通电阻，可降低功耗并提升效率。
3. 增强型模式操作，提供更高的可靠性和稳定性。
4. 良好的热性能，能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 小型化封装设计，便于在空间受限的应用中使用。
6. 与传统硅基 MOSFET 相比，具备更快的开关速度和更低的损耗。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 射频功率放大器 (PA) 在无线通信领域中的应用。
3. 工业电机驱动和伺服控制系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 数据中心供电模块及高效能源管理系统。
6. 汽车电子如车载充电器和牵引逆变器。
GJM0335C1E5R6BA01J
GJM0335C1E5R6BC01J
