时间：2025/9/5 23:18:26
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S2P290N65R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用中。这款MOSFET设计用于在高压和高电流条件下提供高效的性能，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子产品中。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：29A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.065Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：40nC（典型）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：200W
S2P290N65R 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，可承受高达650V的漏源电压，使其适用于高压电源转换应用。器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗并提高整体性能。
该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，提高了热稳定性和可靠性。此外，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的工作温度，延长使用寿命。
在短路和过载条件下，S2P290N65R 也表现出良好的鲁棒性，能够承受一定的瞬态应力而不发生损坏。这种高可靠性使其成为工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器和LED照明系统中的理想选择。
S2P290N65R 常见于各种高功率电子系统中，例如：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC转换器
? 电机控制和驱动器
? 逆变器和UPS系统
? LED照明驱动器
? 电池管理系统
其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，使其特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换和控制电路。
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