时间：2025/12/25 10:32:27
阅读：14
UMG8N是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和电机控制等场景。该器件采用高效率的平面工艺技术制造，具备低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性等特点。由于其封装形式为SOT-23，体积小巧，适合在空间受限的便携式电子设备中使用。UMG8N能够承受较高的漏源电压，并在适当的栅极驱动条件下实现较低的导通损耗，因此在DC-DC转换器、负载开关、电池供电系统以及小功率逆变器中具有较高的应用价值。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。作为一款通用型功率MOSFET，UMG8N凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多中小功率开关应用中的理想选择之一。
型号：UMG8N
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
极性：N-Channel
漏源电压VDS：80V
连续漏极电流ID：1.4A（@ VGS=10V）
脉冲漏极电流IDM：5.6A
栅源电压VGS：±20V
导通电阻RDS(on)：0.26Ω @ VGS = 10V
导通电阻RDS(on)：0.32Ω @ VGS = 4.5V
阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
输入电容Ciss：290pF @ VDS=25V
输出电容Coss：70pF @ VDS=25V
反向恢复时间trr：18ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
功率耗散PD：350mW
UMG8N采用先进的平面场效应晶体管工艺设计，具备出色的电气特性和热稳定性，能够在高频开关环境下保持稳定的性能表现。其最大漏源电压可达80V，使其适用于多种中低压直流电源系统，如移动设备电源管理、LED驱动电路及小型开关电源等。器件的低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效水平。在VGS=10V时，RDS(on)仅为0.26Ω，在轻载或中等负载条件下可有效减少发热，提高系统可靠性。同时，即使在较低的栅极驱动电压下（例如4.5V），其RDS(on)仍维持在0.32Ω，表现出良好的低压驱动能力，兼容3.3V逻辑电平控制，便于与微控制器或PWM控制器直接接口而无需额外的电平转换电路。
该MOSFET的输入电容较小（Ciss=290pF），有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度，从而实现更快的上升和下降时间，减少开关过程中的交越损耗。其反向恢复时间trr为18ns，相较于传统MOSFET而言具有更优的体二极管恢复特性，有助于抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适用于高频率开关应用。此外，UMG8N拥有高达1.4A的连续漏极电流承载能力，配合合理的PCB散热设计，可在紧凑的空间内实现高效能量传输。
SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的机械强度和焊接可靠性，支持自动化贴片生产，适用于大规模电子产品组装。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境温度下依然稳定运行，增强了产品在工业级应用中的适应性。整体来看，UMG8N以其高性能、小尺寸和高性价比，成为消费类电子、通信模块、智能家居设备等领域中不可或缺的核心功率元件。
UMG8N广泛应用于各类中小功率电子系统中，典型用途包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电池供电设备中的电源开关、LED背光驱动、充电管理模块以及电机驱动单元。此外，也常用于USB电源控制、传感器供电切换和嵌入式系统的负载开关设计。其小封装特性使其非常适合便携式电子产品，如智能手表、无线耳机、物联网终端设备等。在工业控制领域，可用于PLC模块中的信号切换或继电器替代方案。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，也可应用于音频放大器的电源切换或保护电路中。
MMBT4401
