CL21A106MPFNNN 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G 介质类型。这种电容器具有极高的稳定性和低温度系数,通常用于对稳定性要求较高的电路设计中。C0G 类型的电容器在工作温度范围内(-55°C 至 +125°C)表现出非常小的容量变化,因此非常适合用作滤波、耦合和振荡等应用。该型号采用了表面贴装技术 (SMD),适合自动化生产。
容值:1uF
额定电压:50V
封装:0805
介质材料:C0G
公差:±5%
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
ESR:≤0.3Ω
DF(损耗角正切):≤0.15%
尺寸:2.0mm x 1.25mm
端电极材料:锡银铜合金
CL21A106MPFNNN 的主要特性包括:
1. 极高的温度稳定性,容量随温度的变化小于 ±30ppm/°C。
2. 具有较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL),可提供优异的高频性能。
3. 容量公差为 ±5%,能够满足大多数精密应用需求。
4. 采用无铅端电极材料,符合 RoHS 标准。
5. 可靠性高,使用寿命长,适用于工业和消费类电子产品。
6. 表面贴装封装使其易于集成到现代 SMT 制造工艺中。
CL21A106MPFNNN 适用于多种电子设备中的高性能电路:
1. 高频滤波器设计,用于射频 (RF) 和无线通信系统。
2. 振荡电路中的稳定元件,例如晶体振荡器。
3. 数据转换器 (ADC/DAC) 中的去耦电容,以减少噪声干扰。
4. 工业控制设备中的电源滤波。
5. 医疗设备、航空航天以及汽车电子系统中的关键电路组件。
6. 时钟电路及时序控制电路中的耦合电容。
CL21B106MPFNNN
GRM157R71H105KA01D
KEMCAP-C0G-J-105K-50V-X7R