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S2D 发布时间 时间:2025/5/24 16:49:58 查看 阅读:17

S2D系列芯片是一种高性能的双极性晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。该系列器件具有高增益、低噪声和快速开关特性,适用于各种电子设备中的信号处理和功率控制。
  其设计旨在提供卓越的电气性能,同时保持较高的稳定性和可靠性。S2D系列支持表面贴装封装,能够适应现代电子制造工艺的需求,为设计师提供了灵活的布局选择。

参数

集电极-发射极饱和电压:0.3V
  最大集电极电流:1.5A
  最大集电极-发射极击穿电压:80V
  最大功耗:625mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  存储温度范围:-65℃ 至 +175℃
  过渡频率:400MHz
  直流电流增益:100至700

特性

S2D系列晶体管具备以下关键特性:
  1. 高频响应能力,使其非常适合高速数字和射频应用。
  2. 极低的饱和电压有助于减少功耗,提升效率。
  3. 在宽温度范围内表现出色,适用于极端环境下的工作场景。
  4. 表面贴装技术(SMT)封装提高了安装密度并简化了自动化生产流程。
  5. 良好的抗ESD能力确保了更高的产品耐用性和可靠性。

应用

S2D系列芯片被广泛用于各类电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源和稳压器中的开关元件。
  2. 工业控制设备中的信号放大与隔离。
  3. 消费类电子产品中的音频信号放大。
  4. 网络通信设备中的高频信号处理。
  5. 测量仪器中的精密放大电路。
  6. 电动汽车和智能家电中的功率管理模块。

替代型号

S8050, BC337, 2SC1815

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S2D参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.15V @ 2A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)2µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装DO-214AA
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称S2DMSCT