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IRFZ48VPBF 发布时间 时间:2025/6/22 14:07:59 查看 阅读:4

IRFZ48VPBF 是一款高性能的 N 沫道场效应晶体管(N-channel MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263 封装,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等电路中。IRFZ48VPBF 以其低导通电阻和高效率而著称,适合需要高电流处理能力的应用。
  该器件具有快速开关特性,可以有效降低功率损耗,并提供出色的热性能以确保可靠性。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:49A
  栅极电荷:17nC
  导通电阻:2.9mΩ
  功耗:175W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TO-263

特性

IRFZ48VPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ(典型值),可显著降低传导损耗。
  2. 快速开关性能:低栅极电荷(Qg=17nC),有助于减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力:额定漏极电流高达 49A,适用于大电流应用。
  4. 耐热增强型封装:TO-263 封装设计,提高了散热性能。
  5. 宽工作温度范围:从 -55°C 到 +175°C,能够在极端环境下保持稳定性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特性使得 IRFZ48VPBF 成为高效功率转换和电机控制的理想选择。

应用

IRFZ48VPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率级开关。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流 MOSFET。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理元件。
  6. 通信电源和其他高效率功率转换系统。
  其高电流承载能力和低导通电阻使它非常适合需要高效率和可靠性的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48N

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IRFZ48VPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C72A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 43A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1985pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ48VPBF