IXFH4N100Q 时间：2025/7/24 2:19:19 阅读：7

IXFH4N100Q 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款 MOSFET 专为高电压、高频率和高效率应用而设计，常用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、马达控制以及各种工业和消费类电子设备中。IXFH4N100Q 采用了先进的沟道技术，能够在高电压下提供出色的导通和开关性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：4A（连续）
　　最大耗散功率（Ptot）：75W
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFH4N100Q 的主要特性之一是其高电压耐受能力，最大漏源电压可达 1000V，适用于高压电源转换应用。
　　该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　它采用了先进的沟道 MOSFET 技术，提供良好的开关性能，适合用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体功率密度。
　　此外，IXFH4N100Q 的 TO-247AC 封装形式具有良好的热管理和机械稳定性，适用于需要良好散热性能的高功率应用。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，使其在高应力工作条件下仍能保持稳定运行。
　　由于其高栅极绝缘性能（±20V 栅源电压耐受能力），IXFH4N100Q 可以与多种驱动电路兼容，简化了驱动电路的设计复杂度。

应用

IXFH4N100Q 被广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关元件，适用于反激式、正激式等拓扑结构，特别适合高输入电压的电源适配器和充电器。
　　在 DC-DC 转换器中，IXFH4N100Q 可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，适用于太阳能逆变器、电池管理系统和工业控制设备。
　　它也常用于逆变器设计中，如不间断电源（UPS）、光伏逆变器和电动汽车充电设备中的功率转换模块。
　　此外，IXFH4N100Q 还适用于高频感应加热、电子镇流器和马达驱动控制电路，提供高效的开关性能和良好的热稳定性。
　　在工业自动化和电机控制应用中，该器件可用于控制大功率负载，如电磁阀、继电器和执行机构。
　　由于其高可靠性和抗干扰能力，IXFH4N100Q 也适用于恶劣环境下的工业和汽车电子系统。