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S29GL512T11TFB010 发布时间 时间:2025/12/25 22:59:35 查看 阅读:12

S29GL512T11TFB010是一款由Cypress Semiconductor(已被Infineon Technologies收购)生产的3.0V 512兆位(Mb)的NOR闪存芯片,属于其GL系列高性能、低功耗闪存产品线。该器件采用先进的MirrorBit技术,提供非易失性存储解决方案,广泛应用于需要高可靠性、快速读取性能和代码执行能力的嵌入式系统中。S29GL512T11TFB010具有64M x 8位或32M x 16位的组织结构,支持x8/x16两种操作模式,适用于多种接口需求的应用场景。该芯片具备出色的耐用性和数据保持能力,支持至少10万次的编程/擦除周期,并能保证在工业温度范围内(-40°C至+85°C)可靠工作长达20年。其封装形式为64引脚薄型四方扁平封装(TFBGA),尺寸紧凑,适合空间受限的设计。此外,该器件集成了多种安全和保护功能,如硬件写保护、软件数据锁定、一次性可编程(OTP)区域以及安全删除功能,有效防止未经授权的访问或修改。S29GL512T11TFB010还兼容JEDEC标准命令集,支持Common Flash Interface (CFI),便于与现有系统集成和开发工具兼容。

参数

制造商:Cypress Semiconductor (Infineon)
  系列:GL-S
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:512 Mbit
  组织方式:64M x 8 / 32M x 16
  供电电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:64-TFBGA (8x11)
  接口类型:并行
  写入耐久性:100,000 次
  数据保持时间:20 年
  访问时间:110ns
  编程时间:最大70μs/字
  擦除时间:批量擦除约35ms,扇区擦除约400ms
  输入/输出电平:CMOS 兼容

特性

S29GL512T11TFB010采用了独特的MirrorBit? 技术,这项创新的浮栅晶体管结构允许每个存储单元存储两个独立的数据位,显著提升了存储密度而不增加芯片面积,从而实现了更高的性价比和更小的封装尺寸。该技术通过在氮化物层中存储电荷来实现双比特存储,相较于传统浮栅技术具有更好的数据保持能力和抗干扰性能。芯片支持高性能异步读取操作,典型访问时间为110纳秒,满足实时系统对快速启动和就地执行(XIP, eXecute In Place)的需求,无需将代码复制到RAM即可直接运行,节省系统资源并提高响应速度。
  该器件具备灵活的块架构设计,包含多个可单独擦除的扇区(包括8KB小扇区和64KB大扇区),支持精细粒度的更新管理,特别适合固件升级、日志记录和配置存储等应用场景。内置的硬件写保护引脚(WP#)可在上电或电压异常时自动锁定存储区域,防止意外写入或擦除。同时,通过软件命令可实现对任意扇区的数据锁定功能,进一步增强数据安全性。S29GL512T11TFB010还支持安全删除和恢复功能,允许用户彻底清除敏感信息,符合工业和通信设备的安全规范要求。
  为了提升系统可靠性,该芯片集成了内部状态机用于自动定时控制编程和擦除操作,减轻主控制器负担。其内建的VPP升压电路确保在标准3V电源下也能完成可靠的编程动作。支持低功耗模式(如深省电模式),待机电流低至数微安级别,适合电池供电或节能型应用。此外,器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,并通过了严格的工业级认证,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。完整的CFI(Common Flash Interface)支持使得主机系统可以动态读取器件参数,简化驱动开发和跨平台移植。

应用

S29GL512T11TFB010广泛应用于需要高密度、高速度和高可靠性的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器、交换机和基站等通信基础设施设备,用于存储启动代码(Bootloader)、操作系统映像和配置文件;在工业控制系统中,如PLC、HMI人机界面和远程终端单元(RTU),它作为关键程序存储器,保障设备在断电后仍能可靠重启。汽车电子领域也常采用此类闪存,用于存储车载信息娱乐系统(IVI)软件、高级驾驶辅助系统(ADAS)的校准数据以及仪表盘固件,得益于其宽温特性和长期数据保持能力。
  此外,在医疗设备中,例如便携式监护仪和成像系统,S29GL512T11TFB010可用于保存关键的操作系统和患者数据模板,确保数据完整性和系统稳定性。测试与测量仪器、POS终端、智能电表以及安防监控设备也是其常见应用场景,这些设备通常要求非易失性存储器具备良好的耐用性、抗干扰能力和快速响应特性。由于支持XIP功能,该芯片非常适合运行实时操作系统(RTOS)或裸机程序的微控制器系统,尤其当主控芯片本身不具备足够片上Flash时,外部扩展S29GL512T11TFB010成为理想选择。其并行接口提供了较高的数据吞吐率,适用于需要频繁读取大量代码或常量数据的应用场合。

替代型号

S29GL512T11TFI10,S29GL512T11TFAI10,S29GL512T11TFIR10

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S29GL512T11TFB010参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格910 : ¥104.62071托盘
  • 系列GL-T
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP