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DS1270AB-70IND 发布时间 时间:2025/5/29 8:39:38 查看 阅读:7

DS1270AB-70IND是一款由Maxim Integrated(现为Analog Devices的一部分)生产的非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)。该芯片结合了高速SRAM和非易失性数据存储功能,能够在系统掉电时自动将数据保存到非易失性存储单元中,从而确保关键数据不会丢失。
  DS1270AB-70IND具有低功耗特性,并支持快速数据传输。它广泛应用于需要高可靠性数据存储的工业、医疗、通信和消费电子领域。

参数

存储容量:512K位
  组织结构:64K x 8位
  工作电压:3.0V至3.6V
  待机电流:小于1μA
  数据保持时间:超过10年
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:SOIC-8
  写保护功能:支持

特性

DS1270AB-70IND具备以下主要特性:
  1. 高速读写能力,访问时间为70ns。
  2. 内置锂电池选项,可在主电源失效时提供备用电源以保存数据。
  3. 自动数据备份功能,在检测到电源故障时能够将SRAM中的内容迅速转移到非易失性存储单元。
  4. 支持软件写保护,防止意外的数据覆盖或修改。
  5. 可靠的擦除和重写性能,允许超过一百万次的编程周期。
  6. 提供多种存储容量和封装选择,适应不同的应用需求。

应用

DS1270AB-70IND适用于需要频繁数据更新且要求高可靠性的场景,例如:
  1. 工业控制设备中的配置参数存储。
  2. 医疗仪器的数据记录与诊断信息保存。
  3. 通信网络设备的状态日志记录。
  4. 消费电子产品中的用户偏好设置保存。
  5. 数据采集系统的临时数据缓冲区。
  6. 任何需要在断电后仍能保留重要信息的应用场合。

替代型号

DS1270B-70+, DS1270AC-70IND, DS1270BC-70IND

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DS1270AB-70IND参数

  • 标准包装9
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量16M(2M x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳36-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装36-EDIP
  • 包装管件