制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　系列：Spansion S29GL-S
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　用户可用容量：32 MByte
　　接口类型：并行（x8/x16）
　　时钟频率：最高100 MHz
　　访问时间：100 ns
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：64-TFBGA 或 64-TSOP
　　每扇区擦除次数：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 20 年
　　编程时间：典型值 4 μs/字
　　待机电流：≤ 15 μA
　　读取电流：≤ 25 mA @ 100 MHz
　　写入/擦除电流：≤ 75 mA
　　输入/输出电压兼容性：3.3V 和 2.5V 可选
　　总线宽度：16位（可配置为8位模式）
　　支持CFI：是
　　硬件写保护：是
　　底部/顶部扇区架构：可配置

S29GL256S10DHIV20具备多项先进特性，使其成为高端嵌入式系统中理想的代码存储解决方案。首先，该器件基于MirrorBit?技术，利用创新的电荷存储机制，在单一物理单元中实现双比特存储，显著提升了存储密度而不增加工艺复杂度。这种结构不仅降低了单位存储成本，还增强了抗干扰能力和可靠性。其次，其高速读取性能支持XIP（Execute-In-Place）功能，允许处理器直接从闪存中运行程序代码，无需将代码复制到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。该芯片提供100ns的访问时间和高达100MHz的总线频率，确保了在实时系统中的高效响应。
　　该器件支持灵活的扇区架构，包含多个可独立擦除的扇区（包括8KB小扇区和64KB大扇区），便于实现精细的数据管理、固件更新和日志记录功能。同时，它具备完整的命令集支持，可通过标准写入指令完成编程、擦除、挂起/恢复操作，并支持Erase Suspend功能，允许在擦除过程中临时中断以执行高优先级读取任务，极大提升了多任务处理能力。
　　为了增强系统安全性，S29GL256S10DHIV20内置硬件写保护机制，防止因电源波动或软件错误导致的关键数据损坏。此外，其支持VPP高压编程选项（如有需要），并具备上电复位检测电路，确保器件在电源稳定后才进入正常工作状态。该芯片还具有优异的环境适应性，可在-40°C至+85°C工业级温度范围内可靠运行，满足严苛工业和车载应用需求。
　　低功耗设计方面，器件提供多种节能模式，包括自动休眠模式（Autonomous Sleep Mode）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在待机状态下电流消耗可低至15μA以下，非常适合便携式或远程供电设备使用。最后，该芯片符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，支持现代绿色制造要求。

S29GL256S10DHIV20广泛应用于对可靠性、性能和长期供货有较高要求的领域。在通信设备中，常用于路由器、交换机和基站的固件存储，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。在工业控制系统中，作为PLC、HMI和工控机的程序存储器，能够承受恶劣电磁环境和宽温变化。汽车电子领域中，该芯片可用于仪表盘、ADAS模块、车载信息娱乐系统（IVI）和网关控制单元，满足AEC-Q100可靠性标准的部分等级要求。在网络设备中，因其高读取速度和XIP能力，被用于存储操作系统映像和配置文件，提升系统响应效率。消费类电子产品如智能电视、机顶盒和打印机也采用此类NOR Flash进行引导代码存储。此外，在医疗设备、航空航天及军事电子系统中，S29GL256S10DHIV20凭借其高耐久性、长数据保持时间和强抗辐射能力，成为关键数据存储的优选方案。由于其支持CFI标准，开发者可轻松移植代码至不同厂商的兼容器件，缩短产品开发周期。整体而言，该芯片适用于所有需要高性能、高可靠性和现场可编程能力的嵌入式非易失性存储场景。

S29GL256S10TFIV20
　　S29GL256S11TFIV21
　　S29GL256S11DHIV21
　　MT28EW256ABA1LJS-0SIT
　　IS26KL256S-H20