型号：K7K3236T2C-EC40
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　容量：128Mb (16MB)
　　组织结构：16M x 8位
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　接口类型：并行接口
　　封装形式：TSOP-1 (48-pin)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程时间（典型）：200μs/页
　　擦除时间（典型）：2ms/块
　　读取访问时间：70ns
　　待机电流：1μA（最大）
　　编程电流：20mA（典型）
　　读取电流：15mA（典型）
　　写使能/命令锁存使能：支持
　　ECC要求：外部控制器需提供纠错功能
　　块数量：1024
　　每块页数：64
　　每页字节数：512 + 16 前瞻/冗余区
　　地址输入方式：复用I/O总线

K7K3236T2C-EC40 具备多项关键特性，使其成为早期嵌入式存储解决方案中的主流选择之一。首先，该器件采用了成熟的MLC NAND技术，在保证合理成本的同时提供了相对较高的存储密度。其128Mb（即16MB）的容量虽然在当前标准下较小，但在许多低功耗、小尺寸应用中依然足够使用，例如小型工控设备、BIOS存储或固件代码存储等场景。芯片内部以页和块为单位进行管理，每页包含512字节的数据区和16字节的备用区域，可用于存放ECC校验码、磨损均衡信息或文件系统元数据，提升了系统的可靠性和可维护性。
　　其次，该芯片支持高效的编程与擦除操作，典型的编程时间为200微秒每页，块擦除时间为2毫秒，能够在不影响系统整体响应的前提下完成频繁的写入任务。此外，其快速的70纳秒读取访问时间使得它适用于需要较快数据提取速率的应用环境，比如图形引导程序加载或配置参数读取。为了适应不同的电源管理需求，器件具备低功耗待机模式，最大待机电流仅为1微安，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　再者，K7K3236T2C-EC40 支持标准的并行NAND接口协议，包括地址与数据复用总线设计，通过ALE（Address Latch Enable）和CLE（Command Latch Enable）信号实现命令与地址的有效分离，简化了与主控处理器之间的连接逻辑。同时，它具备较强的环境适应能力，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，确保在恶劣环境下仍能维持正常的数据读写性能。值得注意的是，该芯片本身不内置硬件ECC引擎，因此系统设计时必须依赖外部控制器来执行错误检测与纠正，否则长期使用可能导致数据损坏。总体而言，K7K3236T2C-EC40 是一款兼顾性能、功耗与可靠性的经典并行NAND闪存器件，适用于注重稳定性和兼容性的传统嵌入式系统设计。

K7K3236T2C-EC40 主要应用于各类需要非易失性存储的嵌入式系统和消费类电子产品中。由于其采用标准并行接口和TSOP-48封装，易于集成到PCB板上，因此常见于早期的智能手机、PDA（个人数字助理）、便携式媒体播放器和数码相机等设备中，用于存储操作系统引导代码、固件程序或用户配置信息。在工业控制领域，该芯片也被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程数据采集模块中，作为关键参数和运行日志的持久化存储介质，确保断电后数据不会丢失。此外，在网络通信设备如路由器、交换机中，K7K3236T2C-EC40 可用于保存启动配置文件和固件镜像，支持快速加载和更新操作。由于其具备工业级工作温度范围（-40°C ~ +85°C），也适合部署在户外监控设备、车载电子系统和智能仪表等对环境适应性要求较高的场合。尽管现代高带宽应用已逐步转向串行NAND或eMMC解决方案，但K7K3236T2C-EC40 凭借其成熟的设计、稳定的供货历史和较低的成本，仍在部分存量项目、维修替换及特定定制化设备中持续服役。对于需要长期供货保障和软硬件兼容性的客户来说，该型号仍然是一个可靠的选择，尤其是在无法升级主控平台的老化系统维护中具有重要价值。

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