制造商：Infineon Technologies (原Cypress)
　　产品系列：GL-S
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit
　　存储器组织：16 M x 8 / 8 M x 16
　　接口类型：并行（x8/x16）
　　时钟频率：最高支持90 MHz
　　访问时间：90 ns
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-ball FBGA（6 mm x 8 mm）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写入耐久性：典型值10万次擦写周期
　　数据保持时间：典型值20年
　　JEDEC标准：兼容CFI（Common Flash Interface）
　　可靠性：具备ECC纠错功能和支持SEFI抗单粒子翻转特性

S29GL128S90FHI023采用Cypress独有的MirrorBit技术，这项创新的浮动栅结构允许每个存储单元存储两个独立的数据位，显著提升了存储密度而无需缩小工艺尺寸，从而在成本与性能之间实现良好平衡。该技术通过在氮化物层中存储电荷来实现双比特存储，相较于传统浮栅NOR Flash，在相同工艺节点下可提供更高的容量和更好的数据保持能力。同时，MirrorBit架构具有较低的单元电流需求，使得整体功耗更低，特别适合对功耗敏感的应用场景。
　　该器件支持高性能异步读取操作，访问时间仅为90ns，能够满足实时系统中对快速指令提取的需求，确保处理器可以直接从Flash中执行代码而不必加载到RAM，节省系统资源并提升响应速度。其内置的命令集遵循JEDEC CFI标准，允许主机系统通过查询获取设备参数信息，实现自动配置，提高了设计灵活性和兼容性。此外，S29GL128S90FHI023支持块擦除和扇区擦除两种模式，最小擦除单位为64KB主块或可选的8KB子扇区（部分型号支持），便于进行精细的固件更新管理。
　　在可靠性方面，该芯片集成了多项增强功能，包括硬件写保护、VPP检测、上电复位（Power-on Reset）电路以及掉电警告处理机制，有效防止意外写入或擦除操作。器件还具备出色的抗辐射能力和SEFI（Single Event Functional Interrupt）防护特性，使其适用于工业和汽车等严苛环境。此外，其内部电荷泵可在单电源供电下完成编程和擦除操作，无需额外高压电源，简化了电源设计。整体而言，S29GL128S90FHI023以其高可靠性、低功耗和良好的系统集成度，成为嵌入式非易失性存储的理想选择。

S29GL128S90FHI023广泛应用于需要高可靠性和快速代码执行能力的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置参数，凭借其快速随机访问特性，可加快设备启动速度并提升系统稳定性。在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程IO模块，该芯片用于保存固件程序和关键运行参数，其宽温工作范围和抗干扰设计确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
　　在网络设备中，S29GL128S90FHI023作为主引导Flash使用，支持快速启动和安全固件更新，配合其分区块保护功能，可以实现分区写保护，避免关键区域被误修改。在汽车电子系统中，该器件可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）模块和网关控制器，满足AEC-Q100可靠性标准的部分等级要求（视具体版本而定），保障车辆运行安全。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空电子系统中，也因其长期数据保持能力和高耐久性而受到青睐。
　　由于其支持XIP（就地执行）模式，S29GL128S90FHI023非常适合那些内存资源有限但需要高效执行程序代码的应用场景。例如，在无MMU（内存管理单元）的微控制器系统中，可以直接将应用程序驻留在Flash中运行，减少对外部RAM的依赖，降低整体系统成本。同时，其低功耗特性也使其适用于便携式工业终端、智能仪表等电池供电设备，延长设备续航时间。总体来看，这款NOR Flash在多个高要求行业中发挥着重要作用。

S29GL128P90TFHI010
　　S29GL128S90TFHR023
　　S25FL128SAGBHI000