容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：16 M x 8 / 8 M x 16
　　工艺技术：MirrorBit
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：65-ball BGA (0.8 mm pitch)
　　访问时间：70 ns
　　编程时间：典型值 4 μs/word
　　擦除时间：典型值 30 ms/sector
　　总线宽度：x8/x16 可配置
　　接口类型：异步 SRAM 类似接口
　　写保护功能：支持硬件 WP# 和软件锁存
　　JEDEC 标准：符合 JS78、JS79 等标准
　　可靠性：耐久性 100,000 次编程/擦除周期，数据保持时间 > 20 年

S29GL128S11TFIV10 采用 Spansion 独有的 MirrorBit 技术，该技术通过在每个存储单元中存储两个比特（双位存储）来提高存储密度，同时降低制造成本。这种创新的单元结构不仅提升了单位面积的存储容量，还优化了电荷分布，增强了数据保持能力和抗干扰性能。MirrorBit 技术利用氮化物层捕获电荷，相比传统浮栅技术具有更好的耐久性和更长的数据保留时间。该芯片支持快速读取访问时间（最短可达 70 ns），能够满足高性能嵌入式系统对实时数据读取的需求，尤其适用于运行 XIP（eXecute In Place）模式的应用场景，即代码直接在 Flash 中执行而无需加载到 RAM，从而节省系统资源并加快启动速度。
　　该器件具备高度灵活的扇区架构，包含多个大小不同的可擦除扇区（包括 4 KB 小扇区和 64 KB 大扇区），允许用户对部分区域进行精细擦写操作，特别适合用于存储配置参数、日志数据或进行增量固件升级。小扇区设计显著降低了更新小量数据时的延迟和功耗。芯片内置状态寄存器和轮询标志位，支持异步编程和擦除操作的状态检测，使主机处理器可以在等待操作完成期间执行其他任务，提升系统效率。此外，S29GL128S11TFIV10 提供了强大的安全性功能，包括软件锁紧（Lock Register）机制，可通过命令序列永久锁定特定扇区，防止未经授权的修改。它还支持 VPP 检测、写保护引脚（WP#）以及上电复位（Power-Up Reset）自动恢复功能，确保在异常断电或电压波动情况下仍能维持数据完整性。整个器件符合 RoHS 和无卤素要求，适用于绿色环保设计。

S29GL128S11TFIV10 被广泛应用于需要高可靠性、中等容量非易失性存储的各种嵌入式系统领域。在工业自动化中，常用于 PLC 控制器、HMI 人机界面设备和工业网关中存储操作系统镜像、应用程序代码和设备配置信息。在网络通信设备如路由器、交换机和基站控制器中，该芯片可用于存放引导程序（Bootloader）、固件映像和运行日志，其快速读取能力有助于缩短设备启动时间。在汽车电子系统中，尽管该型号主要定位于工业级而非 AEC-Q100 认证的车规级产品，但仍可应用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的外围存储或诊断接口设备中。消费类电子产品如智能电视、机顶盒和数字录像机也常采用此类并行接口 Flash 存储引导代码和 UI 资源。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天地面控制系统中，由于其长期数据保持性和稳定的工作表现，也成为可靠的存储解决方案之一。得益于其宽温工作能力和坚固的 BGA 封装，该芯片能够在振动、高温或多变环境条件下持续稳定运行。

S29GL128S11TFIR10
　　S29GL128P11TFIV10
　　S29GL128P11TFIR10
　　MT28EW128ABA1LPC-0S3E
　　IS29GL128H11TBIH3