NTMFS4C324NT1G 时间：2025/4/29 11:48:13 阅读：27

NTMFS4C324NT1G 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 ON Semiconductor（安森美）生产。该器件采用 TO-263-3 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
　　这款 MOSFET 的设计目标是提供低导通电阻和快速开关特性，以提高效率并降低功耗。其额定电压为 30V，能够承受较高的漏源电压，同时具有较低的导通电阻，从而减少能量损耗。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：58A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　总电容：325pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 150℃

特性

NTMFS4C324NT1G 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 栅极驱动下仅为 4.5mΩ，有助于降低传导损耗。
　　2. 快速开关性能，适合高频应用。
　　3. 高瞬态热阻抗能力，确保长时间稳定运行。
　　4. 较低的栅极电荷，减少了驱动电路的复杂性和功耗。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
　　6. 提供卓越的雪崩能力和 ESD 保护，提高了器件的可靠性。

应用

NTMFS4C324NT1G 主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
　　3. 工业及汽车电子中的电机驱动控制。
　　4. 电信设备中的高效功率转换。
　　5. 各种需要高电流处理能力的应用场景，例如大功率 LED 驱动器。
　　由于其出色的电气特性和稳定性，该 MOSFET 成为许多高性能系统设计的理想选择。