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CM150DY-12NF 发布时间 时间:2025/4/29 16:37:34 查看 阅读:6

CM150DY-12NF是一款高性能的碳化硅(SiC)MOSFET功率晶体管,专为高频、高效和高功率密度的应用场景设计。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适合用于工业电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统以及其他需要高效能量转换的场合。
  这款MOSFET采用了先进的碳化硅技术,相比传统的硅基MOSFET,其具备更高的工作温度范围、更快的开关速度以及更小的能量损耗。

参数

型号:CM150DY-12NF
  额定电压:1200V
  额定电流:150A
  导通电阻:≤1.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:≤50ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻降低了传导损耗,提高了系统的整体效率。
  2. 快速的开关性能使器件能够在高频下工作,从而减小了无源元件的尺寸和整个系统的体积。
  3. 耐高温能力出色,能在高达175℃的结温下稳定运行,适用于严苛的工作环境。
  4. 高可靠性设计确保长期使用中的稳定性。
  5. 具备出色的短路耐受能力,增强了系统的安全性和鲁棒性。

应用

1. 工业电源和电机驱动器
  2. 太阳能逆变器和储能系统
  3. 不间断电源(UPS)
  4. 电动汽车充电桩
  5. DC-DC转换器和PFC电路
  6. 高频谐振变换器
  7. 其他需要高效率和高功率密度的电力电子设备

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CM150DY-12NF参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)23nF @ 10V
  • 功率 - 最大590W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
  • 其它名称835-1009