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SIS468DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/12 8:57:21 查看 阅读:9

SIS468DN-T1-GE3 是一款高精度、低功耗的温度传感器芯片,广泛应用于工业控制、消费电子以及医疗设备领域。该芯片采用了先进的硅基传感技术,具有极高的测量准确性和稳定性,能够在较宽的温度范围内提供可靠的性能表现。其封装形式为小型化设计,适合对空间要求严格的场景。

参数

供电电压:2.7V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  分辨率:0.0625°C
  典型功耗:180μA(在3V供电下)
  接口类型:I2C/SMBus
  封装形式:TDFN-8(2mm x 2mm)

特性

SIS468DN-T1-GE3 提供了卓越的温度检测能力,并且具备以下主要特点:
  1. 高精度:在整个工作温度范围内,误差小于±0.5°C。
  2. 快速响应时间:启动到稳定输出的时间低于250ms。
  3. 可配置报警功能:支持高低温阈值设定,允许用户自定义警报触发条件。
  4. 节能模式:内置关断模式可将待机功耗降低至2μA以下。
  5. 小型化封装:TDFN-8 封装尺寸仅为2x2mm,便于集成到紧凑型系统中。
  6. 多地址选择:通过引脚设置支持多达8个不同的从机地址,方便多芯片级联应用。

应用

SIS468DN-T1-GE3 的典型应用场景包括:
  1. 消费类电子产品中的过热保护和散热管理。
  2. 医疗设备中的精确体温监测。
  3. 工业自动化系统中的环境温度监控。
  4. 数据中心服务器及网络设备的热管理。
  5. 家用电器如空调、冰箱等的温度调节模块。
  6. 电池管理系统中的温度补偿功能。
  由于其出色的性能和灵活性,该芯片可以满足多种行业的严格需求。

替代型号

TMP117MIDGZR
  MAX31875ASA+T
  LM75AIDR

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SIS468DN-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 40V
  • 功率 - 最大52W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIS468DN-T1-GE3TR