工作频率范围：24 GHz 至 30 GHz
　　小信号增益：约 22 dB
　　增益平坦度：±0.8 dB 典型值
　　输出P1dB功率：+28 dBm 典型值
　　饱和输出功率（Psat）：+30 dBm 典型值
　　电源电压：+5 V 单电源供电
　　静态工作电流：约 250 mA（可调偏置）
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配
　　谐波抑制：<-30 dBc 典型值
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：6引脚SOT-1158或类似陶瓷封装

SDP1704射频功率放大器具备卓越的高频性能与出色的线性度表现，是面向毫米波通信系统的理想选择之一。其核心优势在于高增益与高输出功率的结合，能够在24 GHz至30 GHz的宽频带内实现稳定的22 dB左右小信号增益，并在1 dB压缩点处提供高达+28 dBm的输出功率，满足高速数据传输对高动态范围的需求。更重要的是，该器件具有极佳的增益平坦度，典型值控制在±0.8 dB以内，这有效减少了频带边缘的信号失真，提升了整个通信链路的可靠性与稳定性。其输出三阶交调点（OIP3）表现优异，确保在多载波或多用户环境下仍能维持较高的线性度，从而降低邻道泄漏比（ACLR），符合严格的通信协议要求。
　　该芯片采用优化的偏置架构，支持外部调节静态电流以平衡功耗与性能，适应不同应用场景下的能效需求。例如，在轻负载情况下可通过降低偏置电流实现节能运行；而在高吞吐量场景下则可提升偏置以获得最大线性输出。这种灵活性使其非常适合部署于自适应射频系统中。同时，SDP1704内置了温度反馈补偿电路，能在-40°C至+85°C的工作温度范围内自动调整偏置点，防止因温漂导致的增益波动或热失控问题，显著提高了长期运行的稳定性与安全性。
　　在封装方面，SDP1704采用了小型化陶瓷SMD封装，不仅具备优良的散热性能，还提供了良好的射频隔离和机械强度，适用于高频PCB设计中的紧凑布局。其输入与输出端口均经过片上匹配网络优化，实现50 Ω阻抗匹配，大幅简化了外部匹配电路的设计复杂度，缩短产品开发周期。此外，该器件表现出优秀的谐波抑制能力（典型值<-30 dBc），有助于减少后续滤波器的设计压力，提高系统整体的电磁兼容性（EMC）表现。综合来看，SDP1704凭借其高频宽带特性、高线性度、可调偏置及温度稳定性，成为构建下一代毫米波通信基础设施的重要元器件之一。

SDP1704主要应用于高频段无线通信系统中，特别是在需要高线性度与高输出功率的毫米波射频前端模块中发挥关键作用。其典型应用包括5G NR毫米波基站（尤其是n257、n258、n261频段）的功率放大单元，用于增强上行与下行链路的覆盖能力与数据吞吐率。此外，该芯片也广泛用于Wi-Fi 6E和未来Wi-Fi 7接入点设备中，作为6 GHz以上频段的外置高功率放大器，提升无线局域网的传输距离与穿透性能。在点对点（PtP）与点对多点（PtMP）微波回传系统中，SDP1704可用于构建高容量、低延迟的骨干通信链路，尤其适用于城市密集区域的光纤补充或替代方案。
　　该器件同样适用于卫星通信终端、车载毫米波雷达前端扩展模块以及固定无线接入（FWA）客户终端设备（CPE）。在这些应用中，SDP1704能够有效提升接收灵敏度与发射功率，改善链路预算，延长通信距离。其高增益特性还可用于驱动后续级联的混频器或天线阵列单元，特别适合有源相控阵天线（AESA）系统中的分布式放大结构。此外，由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，SDP1704也被用于工业物联网（IIoT）远程监控系统、智能交通系统（ITS）以及无人机高速数据链等对可靠性要求较高的领域。总之，凡是涉及24 GHz至30 GHz频段、追求高性能射频放大的场景，SDP1704都是一个极具竞争力的技术选项。

SE5007L
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