时间：2025/9/1 15:09:02
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H5TQ2G83BFR-PBI是一种由SK Hynix制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，常用于嵌入式系统和高性能计算设备中。这款DRAM芯片的容量为2Gbit，采用x8配置，支持低功耗操作，并且具备较高的数据传输速率。其封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），适用于对空间和性能都有较高要求的应用场景。
容量：2Gbit
组织结构：x8
封装类型：FBGA
电压：1.8V
接口类型：并行
最大工作温度：85°C
最小工作温度：-40°C
H5TQ2G83BFR-PBI具备低功耗特性，适合电池供电设备和需要长时间运行的系统。其采用的FBGA封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，有助于提高设备的稳定性和可靠性。此外，该芯片支持高速数据传输，能够满足高性能嵌入式系统和通信设备对内存性能的需求。
H5TQ2G83BFR-PBI还支持自动刷新和自刷新功能，能够在系统休眠或低功耗模式下保持数据完整性，从而延长设备的续航时间。其工作温度范围广泛，能够在-40°C至85°C之间正常运行，适应各种复杂的工作环境。此外，该芯片具有良好的抗干扰能力和数据稳定性，适用于工业控制、网络设备和消费类电子产品。
H5TQ2G83BFR-PBI广泛应用于嵌入式系统、通信设备、工业控制、消费类电子产品等领域。例如，它可以用于路由器、交换机、智能电视、机顶盒等设备中，作为主存储器或缓存存储器，提供高效的数据存储和处理能力。
H5TQ2G83BFR-PBC、H5TQ2G83MFR-PBC、H5TQ2G83CFR-PBC
