您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5TQ2G83BFR-PBI

H5TQ2G83BFR-PBI 发布时间 时间:2025/9/1 15:09:02 查看 阅读:8

H5TQ2G83BFR-PBI是一种由SK Hynix制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,常用于嵌入式系统和高性能计算设备中。这款DRAM芯片的容量为2Gbit,采用x8配置,支持低功耗操作,并且具备较高的数据传输速率。其封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),适用于对空间和性能都有较高要求的应用场景。

参数

容量:2Gbit
  组织结构:x8
  封装类型:FBGA
  电压:1.8V
  接口类型:并行
  最大工作温度:85°C
  最小工作温度:-40°C

特性

H5TQ2G83BFR-PBI具备低功耗特性,适合电池供电设备和需要长时间运行的系统。其采用的FBGA封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,有助于提高设备的稳定性和可靠性。此外,该芯片支持高速数据传输,能够满足高性能嵌入式系统和通信设备对内存性能的需求。
  H5TQ2G83BFR-PBI还支持自动刷新和自刷新功能,能够在系统休眠或低功耗模式下保持数据完整性,从而延长设备的续航时间。其工作温度范围广泛,能够在-40°C至85°C之间正常运行,适应各种复杂的工作环境。此外,该芯片具有良好的抗干扰能力和数据稳定性,适用于工业控制、网络设备和消费类电子产品。

应用

H5TQ2G83BFR-PBI广泛应用于嵌入式系统、通信设备、工业控制、消费类电子产品等领域。例如,它可以用于路由器、交换机、智能电视、机顶盒等设备中,作为主存储器或缓存存储器,提供高效的数据存储和处理能力。

替代型号

H5TQ2G83BFR-PBC、H5TQ2G83MFR-PBC、H5TQ2G83CFR-PBC

H5TQ2G83BFR-PBI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价