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S29GL01GS11TFV023 发布时间 时间:2025/12/25 23:54:01 查看 阅读:10

S29GL01GS11TFV023是一款由Cypress Semiconductor(已被Infineon Technologies收购)生产的3.0V仅命令集闪存存储器芯片,属于其Gladiator系列的高性能NOR Flash产品。该器件提供1Gbit(即128M字节)的存储容量,采用标准的x8/x16位可配置接口,适用于需要高可靠性和快速读取性能的应用场景。该芯片设计用于工业、汽车和网络通信等对数据完整性与持久性要求较高的领域。其制造工艺基于先进的MirrorBit技术,能够在单个存储单元中存储多个比特信息,从而提高存储密度并降低成本。S29GL01GS11TFV023支持多种低功耗模式,包括自动休眠和深度省电模式,适合在电池供电或能效敏感型系统中使用。
  S29GL01GS11TFV023采用64引脚TSOP封装(Thin Small Outline Package),具有符合JEDEC标准的引脚布局,便于PCB设计和替换。该器件支持硬件写保护功能,防止因意外操作导致的关键代码或数据被擦除或写入。此外,它还具备内部状态机控制的擦除和编程操作,简化了主机处理器的管理负担。为了增强系统的可靠性,该芯片集成了ECC(错误校验与纠正)机制,并支持坏块管理和冗余块分配,确保长期运行中的数据安全。S29GL01GS11TFV023兼容主流微控制器和嵌入式处理器的地址/数据总线接口,广泛应用于路由器、交换机、工业控制模块以及车载电子系统中。

参数

制造商:Infineon Technologies (原Cypress)
  产品系列:Gladiator S Series
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:1 Gbit
  组织结构:64 M x 16 位 或 128 M x 8 位
  电源电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:64-TSOP
  接口类型:并行(x8/x16)
  访问时间:110 ns
  写使能/禁止:支持软件和硬件写保护
  编程电压:内部电荷泵生成
  擦除方式:按扇区或整片擦除
  待机电流:典型值为 15 μA
  编程电流:典型值为 20 mA
  读取电流:典型值为 15 mA
  时序模式:CE# 和 OE# 控制读取使能
  支持的指令集:Common Flash Interface (CFI) 兼容
  可靠性:每块可进行10万次擦写循环,数据保持时间达20年

特性

S29GL01GS11TFV023具备多项先进特性以满足高性能嵌入式系统的严苛需求。首先,其基于MirrorBit技术的存储单元结构允许在一个物理存储节点上存储两个独立的数据位,通过不同的电荷分布状态实现多层存储,这不仅提升了存储密度,也降低了单位比特的成本,同时保持了NOR Flash固有的随机访问能力和执行就地执行(XIP, eXecute In Place)的功能,使得处理器可以直接从Flash中运行代码而无需加载到RAM,显著提高了启动速度和系统响应能力。
  其次,该器件支持灵活的扇区架构,包含多个大小不一的可独立擦除扇区(如主扇区、参数扇区等),允许用户精细控制数据更新区域,避免全片擦除带来的效率损失。配合内置的状态寄存器轮询机制和Toggle Bit输出功能,主机可以实时监控编程或擦除操作的完成状态,提升系统调度效率。此外,S29GL01GS11TFV023支持VPP引脚的可选高压输入(用于加速编程),同时也可通过内部电荷泵生成所需电压,降低外部电源设计复杂度。
  再者,该芯片具备强大的数据保护机制,包括软件写保护、硬件WP#引脚控制、上电复位锁定(Power-up Lockout)以及临时块锁定(Temporary Block Locking)等功能,有效防止非法或误操作修改关键固件。其内建的ECC逻辑可在读取过程中检测并纠正单比特错误,预防软错误积累导致的数据损坏。最后,该器件通过AEC-Q100汽车级认证(部分等级型号),支持宽温工作范围,在极端环境下仍能保持稳定性能,适用于车载信息娱乐系统、ADAS模块及其他高可靠性应用场景。

应用

S29GL01GS11TFV023广泛应用于各类需要大容量、高速度、高可靠性的嵌入式系统中。在网络通信设备方面,常用于路由器、交换机和基站控制器中存储固件、引导程序(Bootloader)和配置文件,得益于其快速随机读取能力,能够加快设备启动时间和协议处理响应速度。在工业自动化领域,该芯片被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和远程I/O模块中,用于保存控制逻辑、历史日志和参数设置,其宽温特性和抗干扰设计保障了工厂环境下的长期稳定运行。
  在汽车电子系统中,S29GL01GS11TFV023可用于车载导航系统、仪表盘显示模块、T-Box(车联网终端)以及高级驾驶辅助系统(ADAS)中,存储操作系统映像、地图数据和传感器校准参数。由于具备AEC-Q100可靠性认证和良好的耐久性指标(10万次擦写寿命),非常适合车载环境中频繁更新和长期使用的场景。此外,在医疗设备、测试仪器和军工电子中,该芯片也被用作非易失性代码和数据存储介质,支持关键任务系统的安全启动和故障恢复机制。凭借其并行接口带来的高带宽优势,尤其适合不支持QSPI或HyperBus等新型接口的老一代或高性能实时处理器平台使用。

替代型号

S29GL01GS11BAIV10
  S29GL01GS11TFVR023
  S29GL01GS_11BAIV11

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S29GL01GS11TFV023参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥107.82055卷带(TR)
  • 系列GL-S
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP