WS57C256F-55TMB 时间：2025/8/21 6:52:42 阅读：5

WS57C256F-55TMB是一款高速静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, SRAM）芯片，由Winbond公司生产。该芯片具有较高的存储密度和稳定性，适用于对数据存储速度和可靠性有较高要求的应用场景。WS57C256F-55TMB采用先进的CMOS技术制造，具备低功耗、高速访问和宽工作温度范围等优点，适合工业级应用。

参数

容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　最大访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：标准TSOP
　　封装材料：塑料
　　封装热阻：符合工业标准
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据保持电压：最小1.5V
　　待机电流：典型值10mA（最大100mA）

特性

WS57C256F-55TMB是一款高性能的异步SRAM芯片，其核心优势在于高速数据访问和低功耗设计。该芯片的最大访问时间为55ns，意味着其可以在高频系统中稳定运行，适用于高速缓存和实时数据处理场景。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够兼容多种电源系统，并适应不同的应用环境。此外，该芯片支持TTL电平输入输出，确保与多种数字电路的兼容性。
　　该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适合空间受限的应用场合。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，确保在恶劣环境下的稳定性与可靠性。
　　在功耗管理方面，WS57C256F-55TMB具备低功耗待机模式，待机电流典型值为10mA，最大不超过100mA，有助于延长设备的电池寿命。该芯片的数据保持电压最低可降至1.5V，即使在电源电压下降的情况下仍能保持数据完整性，适用于断电或低电压保护场景。
　　此外，该SRAM芯片无需刷新操作，简化了系统设计，并提升了数据访问的实时性。由于其异步特性，无需外部时钟同步，简化了接口逻辑，降低了系统复杂度。

应用

WS57C256F-55TMB适用于多种需要高速存储和稳定数据保持的应用场景。常见应用包括工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、医疗仪器、便携式电子设备以及数据采集系统等。其宽电压和宽温度范围使其在恶劣工业环境下表现出色，是工业自动化、智能仪表和通信模块的理想选择。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用作程序存储器或临时数据缓冲区，提供快速的数据访问能力。在通信设备中，可用于缓存数据包或作为协议转换的中间存储单元。在医疗设备中，WS57C256F-55TMB的高可靠性确保了关键数据的安全存储和快速读取，满足医疗设备对数据完整性和稳定性的严格要求。
　　此外，由于其低功耗和异步操作特性，WS57C256F-55TMB也适用于电池供电设备，如便携式测试仪器和远程监测系统，有助于延长设备的工作时间。