类型：NPN 晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-323
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）

BC847CW_R1_00001 晶体管具备多个优良特性，使其在电子设计中具有广泛的应用。首先，该晶体管的 Vceo 和 Vcbo 均为 30V，使其能够在中等电压环境下稳定运行。此外，最大集电极电流为 100mA，适用于低功耗开关和信号放大应用。该器件的 hFE（直流电流增益）范围较广，从 110 到 800，具体取决于晶体管的等级（如 hFE 等级为 O、Y、GR、BL 等），从而满足不同电路设计的需求。
　　BC847CW_R1_00001 的 fT（增益带宽积）为 100MHz，意味着其在高频应用中也能保持良好的放大性能。这对于需要快速开关或信号处理的电路非常重要。此外，该晶体管的封装为 SOT-323，体积小巧，便于在紧凑的 PCB 设计中使用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。其功率耗散为 300mW，确保在连续工作状态下不会因过热而损坏。此外，BC847CW_R1_00001 的制造工艺成熟，具有高度的一致性和稳定性，降低了电路设计中的误差和故障率。
　　综上所述，BC847CW_R1_00001 凭借其优良的电气性能、广泛的 hFE 范围、高频响应以及小尺寸封装，成为电子设计中的常用元件。

BC847CW_R1_00001 晶体管在多种电子电路中具有广泛的应用。首先，它常用于开关电路，例如数字电路中的晶体管开关、LED 驱动电路以及继电器控制电路。由于其具备较高的 Vceo 和 Vcbo 电压，同时具有 100mA 的集电极电流能力，因此能够在低功率环境中稳定地进行开关操作。
　　其次，BC847CW_R1_00001 也广泛用于信号放大电路，如音频放大器、传感器信号调理电路以及低频放大器。其 fT 为 100MHz，使其在中高频信号放大中表现出色，适用于无线通信、数据传输和信号处理等领域。此外，该晶体管的 hFE 范围较宽，可以根据不同的设计需求选择合适的增益等级，从而优化放大电路的性能。
　　在工业控制领域，该晶体管可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动电路以及自动控制系统中的信号转换和隔离电路。由于其工作温度范围较广（-55°C 至 150°C），因此能够在各种工业环境中稳定运行。
　　在消费电子方面，BC847CW_R1_00001 可用于智能家电、移动设备、便携式电子产品等，作为信号处理和控制电路的一部分。此外，在汽车电子系统中，例如车载传感器、ECU（电子控制单元）以及车载娱乐系统中，该晶体管也具有广泛的应用前景。
　　总体而言，BC847CW_R1_00001 凭借其多功能性和稳定性，成为电子设计中的关键元件之一。

BC847CUB-7-F, BC847W NPN Transistor, BC847B, BC846, BC848