WS57C49C-45TMB是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Winbond公司生产。这款芯片属于异步SRAM类别,具有高速访问时间和高可靠性,广泛应用于需要快速数据访问和稳定性的电子设备中。WS57C49C-45TMB采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的抗干扰能力和较低的功耗,使其适用于工业控制、通信设备、网络设备以及消费类电子产品。该芯片封装为TSOP(薄型小外形封装),便于在高密度PCB布局中使用。
容量:128K x 8位
组织结构:128KB SRAM
访问时间:45ns
电源电压:3.3V
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:异步
数据宽度:8位
最大工作频率:约16 MHz(依据访问时间)
WS57C49C-45TMB是一款高性能异步SRAM芯片,具备快速的访问时间和低功耗特性。其45ns的访问时间使得该芯片适用于对响应速度要求较高的应用场合。芯片采用3.3V供电,有助于降低整体功耗并提升系统能效。此外,TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了封装密度,适合在紧凑型电子产品中使用。
这款SRAM芯片内部集成了高性能的CMOS电路,具有良好的抗干扰能力和稳定性,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。其宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适合用于各种工业控制设备和嵌入式系统。
作为异步SRAM,WS57C49C-45TMB不需要时钟信号进行同步,简化了系统设计并降低了时序控制的复杂性。它适用于需要快速数据读写操作的应用场景,例如缓存存储器、图形处理器缓存、通信设备的数据缓冲器等。
该芯片还具备自动低功耗模式,能够在不使用时进入待机状态,从而减少功耗。这种特性对于便携式设备和电池供电系统尤为关键。
WS57C49C-45TMB广泛应用于多个领域,包括工业控制、自动化设备、通信模块、网络路由器、图形处理器、测试仪器以及嵌入式系统。在工业控制中,该芯片可用作高速缓存或临时数据存储器,提高系统响应速度。在通信设备中,可用于数据缓冲和处理高速信号传输。在消费类电子产品中,如智能家电、便携式仪器等,也可使用该芯片作为主SRAM或辅助存储单元。
ISSI的IS62C128ALB45T、Microchip的23LC1024、ON Semiconductor的SRAM MC12884、Renesas的IDT71V016S