类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　最大功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

S2881KSO MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高漏源电压（200V）和较高的连续漏极电流（15A）使其适用于多种中高功率电源转换应用。此外，该器件具有低导通电阻（Rds(on)），在工作状态下可有效降低功率损耗，提高系统效率。由于其采用TO-263（D2PAK）封装，散热性能优越，能够承受较高的功率耗散，适用于高电流应用。该MOSFET还具备优良的开关性能，能够实现快速导通和关断，减少开关损耗。
　　另一个重要特性是其高可靠性，在极端工作条件下（如高温和高湿度）依然能保持稳定运行。S2881KSO 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了其在不同驱动电路中的适应性。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，有助于提升系统安全性和稳定性。S2881KSO 的设计也符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子设备的制造需求。

S2881KSO MOSFET 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种高功率电子系统中。其高电压和高电流能力使其成为工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动工具和汽车电子系统中的理想选择。例如，在DC-DC转换器中，S2881KSO 可用于高边和低边开关，提供高效的能量转换。在电机控制应用中，它可用于H桥电路中的功率开关，实现精确的转速和方向控制。此外，该器件也常用于LED照明驱动电路、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。

IRF1405, FDP2881, SiHH2881K