SH31B473K100CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于 N 沟道增强型器件。该元器件采用 TO-263 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使得它在功率转换应用中表现出色。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:47A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:1290pF
总功耗:180W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SH31B473K100CT 的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压设计,支持高达 100V 的漏源电压,确保在高压环境下的可靠性。
2. 极低的导通电阻(4.5mΩ),显著降低功率损耗,提升效率。
3. 快速开关性能,栅极电荷仅为 85nC,适合高频应用。
4. 具备出色的热稳定性,能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内正常工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 强大的漏极电流能力(47A),适用于大电流负载场景。
SH31B473K100CT 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,提供高效功率转换。
2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. DC-DC 转换器中的同步整流部分。
4. 各种负载开关场景,如工业设备或汽车电子系统。
5. 可再生能源领域,例如太阳能逆变器中的功率管理模块。
6. 电池管理系统(BMS),用作主功率路径的开关元件。
STP47H10N3, IRFZ44N, FDP18N10