时间：2025/7/1 5:15:42
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SH31B473K100CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型器件。该元器件采用 TO-263 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使得它在功率转换应用中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：47A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1290pF
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SH31B473K100CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压设计，支持高达 100V 的漏源电压，确保在高压环境下的可靠性。
2. 极低的导通电阻（4.5mΩ），显著降低功率损耗，提升效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为 85nC，适合高频应用。
4. 具备出色的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内正常工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 强大的漏极电流能力（47A），适用于大电流负载场景。
SH31B473K100CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，提供高效功率转换。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. DC-DC 转换器中的同步整流部分。
4. 各种负载开关场景，如工业设备或汽车电子系统。
5. 可再生能源领域，例如太阳能逆变器中的功率管理模块。
6. 电池管理系统（BMS），用作主功率路径的开关元件。
STP47H10N3, IRFZ44N, FDP18N10
