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SH31B473K100CT 发布时间 时间:2025/7/1 5:15:42 查看 阅读:11

SH31B473K100CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于 N 沟道增强型器件。该元器件采用 TO-263 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使得它在功率转换应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  输入电容:1290pF
  总功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SH31B473K100CT 的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压设计,支持高达 100V 的漏源电压,确保在高压环境下的可靠性。
  2. 极低的导通电阻(4.5mΩ),显著降低功率损耗,提升效率。
  3. 快速开关性能,栅极电荷仅为 85nC,适合高频应用。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内正常工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 强大的漏极电流能力(47A),适用于大电流负载场景。

应用

SH31B473K100CT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,提供高效功率转换。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流部分。
  4. 各种负载开关场景,如工业设备或汽车电子系统。
  5. 可再生能源领域,例如太阳能逆变器中的功率管理模块。
  6. 电池管理系统(BMS),用作主功率路径的开关元件。

替代型号

STP47H10N3, IRFZ44N, FDP18N10

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SH31B473K100CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.24168卷带(TR)
  • 系列SH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.047 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定10V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级-
  • 应用Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-