型号：YE06G007
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.8A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　导通电阻 RDS(on)：32mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻 RDS(on)：40mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.6V
　　输入电容（Ciss）：580pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：290pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：90pF @ VDS=10V
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC @ VGS=10V
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

YE06G007 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽型工艺技术，使其在低电压应用中表现出卓越的导通性能和开关效率。其关键特性之一是具有极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -4.5V时仅为32mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下也能保持40mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于电池供电设备中的高效电源开关，有效减少能量损耗，延长续航时间。该器件支持-4.8A的连续漏极电流，在同类SOT-23封装P沟道MOSFET中处于领先水平，能够满足大多数中等功率负载的需求。
　　另一个显著特点是其良好的栅极驱动兼容性。YE06G007可在-1.6V至-1.0V的阈值电压范围内可靠开启，因此可直接由3.3V或5V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其栅源电压容限达到±12V，具备较强的抗过压能力，提升了系统的安全性和鲁棒性。器件的输入、输出及反向传输电容均经过优化，Ciss为580pF，Coss为290pF，Crss为90pF，在保证快速开关响应的同时，有效抑制了开关过程中的振荡与噪声，提高了EMI性能。
　　热性能方面，YE06G007在SOT-23小型封装下仍能实现2.5W的最大功耗，得益于其高效的芯片结构与封装散热设计，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适用于工业级和消费级多种应用场景。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣环境下的长期稳定性。内置的体二极管也具有较快的反向恢复特性，适用于需要反向电流续流的场合。总体而言，YE06G007是一款集低导通电阻、高电流能力、良好热稳定性和强抗干扰能力于一体的高性能P沟道MOSFET，特别适合用于便携式设备的电源管理与负载切换应用。

YE06G007广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中，典型用途包括便携式电子设备中的电池供电开关控制，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备等，用于实现电池与负载之间的通断管理，防止反向电流和过放电。在DC-DC降压或升压转换电路中，该器件常作为同步整流开关或高端开关使用，凭借其低导通电阻有效提升转换效率。此外，它也被广泛用于各类负载开关电路，控制不同功能模块的上电时序，避免浪涌电流对系统造成冲击。
　　在消费类电子产品中，YE06G007可用于USB电源开关、SD卡接口电源控制、LCD背光驱动以及传感器模块的供电管理。其SOT-23小型封装非常适合高密度PCB布局，有助于缩小产品体积。在工业控制领域，该MOSFET可用于低功耗继电器替代方案、电机驱动中的H桥低端开关以及PLC输入输出模块的信号切换。由于其具备良好的温度稳定性与抗静电能力（HBM模型可达2kV以上），YE06G007也可应用于环境较为复杂的工业现场设备中。
　　此外，YE06G007还可用于LED驱动电路中的恒流控制开关，配合PWM调光实现亮度调节；在电源冗余设计中作为理想二极管使用，防止多电源之间的反灌电流；也可作为热插拔电路中的主控开关，实现带电插拔时的安全保护。综上所述，YE06G007凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，已成为现代低功耗、高集成度电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

AO3401
　　Si2301DS
　　FDMC8202