时间：2025/4/29 12:57:43
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PSMN4R2-40VSH 是一款由 NXP（恩智浦）推出的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，旨在提供高效的开关性能和低导通电阻。该器件属于 PowerMOS 系列，适用于各种工业和消费类电子设备中的功率转换应用。其封装形式为 SO8，具备出色的散热性能和紧凑的尺寸。
这款 MOSFET 主要用于需要高效功率管理的场景，例如电源适配器、电机驱动、电池保护电路以及 DC-DC 转换器等。
型号：PSMN4R2-40VSH
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：40 V
Rds(on)（导通电阻）：4.2 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（持续漏极电流）：36 A
Qg（栅极电荷）：25 nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.5 V
Pd（最大功耗）：198 W
fT（特征频率）：1.7 MHz
封装：SO8
PSMN4R2-40VSH 提供了非常低的导通电阻，使其非常适合要求高效率的应用场景。同时，它具有快速开关能力和较低的栅极电荷，可以有效减少开关损耗。此外，该器件支持宽范围的工作电压，并能在高温环境下稳定运行。
主要特性包括：
1. 极低的 Rds(on)，可降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率设计。
4. 紧凑型 SO8 封装，便于 PCB 布局。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 支持高达 175°C 的工作结温范围，适应恶劣环境。
PSMN4R2-40VSH 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 电池保护及充电管理系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换。
5. 消费类电子产品中的负载开关。
6. 电信设备中的电源模块。
7. 逆变器和其他电力电子系统。
PSMN013-40PS, PSMN022-40PSH, FDMQ8205
