时间：2025/11/3 13:42:37
阅读：15
S25FL128SAGNFI010是Cypress Semiconductor（现为Infineon Technologies的一部分）生产的一款高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片，属于S25FL系列中的128Mbit（即16MB）容量产品。该器件采用标准SPI（Serial Peripheral Interface）和四通道I/O（QPI）接口，支持高速数据传输，适用于需要代码存储和数据记录的嵌入式系统。S25FL128S广泛应用于网络设备、工业控制、汽车电子、消费类电子产品以及物联网设备中，尤其适合对可靠性和耐久性要求较高的应用场景。该芯片采用环保的8引脚SOIC或WSON封装，具备高耐用性和数据保持能力，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），满足多种严苛环境下的使用需求。其内部结构划分为均匀的扇区和块，便于进行灵活的擦除和编程操作，并支持软件和硬件写保护功能，防止意外数据修改，确保系统安全稳定运行。此外，该器件还符合RoHS指令，适合无铅焊接工艺，广泛用于现代绿色电子产品设计中。
容量：128 Mbit (16 MB)
电压范围：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-SOIC 或 8-WSON
接口类型：SPI, QPI
时钟频率：最高支持 104 MHz
读取带宽：单I/O、双I/O、四I/O模式支持
写入/擦除耐久性：100,000 次编程/擦除周期
数据保持时间：超过 20 年
待机电流：典型值 15 μA
快速读取指令支持：104 MHz 下 8-bit DDR 模式
扇区大小：4 KB
块大小：64 KB
具有静电放电（ESD）保护：HBM > 4 kV
S25FL128SAGNFI010具备多项先进特性，使其在同类NOR Flash产品中表现出色。首先，它支持标准SPI和四通道I/O（QPI）两种通信模式，用户可根据系统需求在兼容性和性能之间灵活选择。在QPI模式下，数据吞吐量显著提升，可实现高达104MHz的时钟频率和双倍数据速率（DDR）读取，极大提高了代码执行效率，特别适用于XIP（eXecute In Place）应用，允许处理器直接从闪存中运行程序而无需加载到RAM，节省系统资源并加快启动速度。
其次，该芯片具备卓越的耐久性和数据保持能力，每个存储单元可承受高达10万次的编程/擦除循环，数据在断电后仍可可靠保存超过20年，适用于长期运行且频繁更新数据的应用场景，如固件升级、日志记录等。同时，器件内置多种硬件和软件保护机制，包括Vpp写使能、写保护引脚（WP#）、状态寄存器保护（SRP）以及针对部分或全部存储空间的软件写锁定功能，有效防止因误操作或异常掉电导致的关键数据损坏。
此外，S25FL128S支持分层擦除架构，包含多个4KB的小扇区和64KB的大块，便于精细管理存储空间，减少不必要的擦除开销。它还集成了上电复位电路和内部定时控制器，简化了外部电路设计。该器件符合JEDEC标准，支持工业级和汽车级可靠性要求，通过AEC-Q100认证的版本可用于车载信息娱乐系统和ADAS等汽车应用。整体设计注重低功耗，在待机模式下电流仅约15μA，有助于延长电池供电设备的工作时间。
S25FL128SAGNFI010广泛应用于多种需要高可靠性代码存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面和工业网关中存储固件和配置参数；在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中，作为Boot Code存储器，支持快速启动和远程固件更新；在汽车电子方面，可用于仪表盘、车载导航系统和远程信息处理单元，满足车规级温度与寿命要求；在消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒和智能家居中枢，承担操作系统和应用程序的存储任务；此外，在物联网终端设备如无线传感器节点、边缘计算网关中，因其低功耗和小封装优势，成为理想的本地非易失性存储解决方案。该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和航空电子系统等对数据完整性有严格要求的行业应用，提供稳定的存储支持。
S25FL128LAFNFI000
MT25QL128ABA1EW7
N25Q128A13ESC
