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1N250 发布时间 时间:2025/7/25 12:17:59 查看 阅读:27

1N250 是一种常用的硅整流二极管,广泛应用于电源整流、电压保护和电路隔离等场合。它具有较高的反向击穿电压和较大的额定整流电流,适合用于中高功率的电子设备中。该二极管通常采用DO-41封装,具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:硅整流二极管
  最大平均整流电流(Io):1A
  最大反向重复峰值电压(VRRM):1000V
  最大正向压降(VF):1.1V @ 1A
  最大反向漏电流(IR):5uA @ 1000V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:DO-41

特性

1N250具有优异的整流性能和稳定的电气特性。其高反向击穿电压允许在高压环境下使用,而较大的额定整流电流使其能够承受一定的负载能力。此外,该器件具有快速恢复时间,适用于中高频整流应用。其DO-41封装形式便于安装和散热,适合在多种电路环境中使用。由于其高可靠性和广泛的工作温度范围,1N250常被用于工业电源、充电器、开关电源等设备中。

应用

1N250主要用于电源整流电路,如AC-DC转换器、充电器和适配器。它也常用于电压钳位、极性保护和反向电压保护电路中。此外,该二极管还可用于隔离电路、续流二极管以及需要高反向耐压和中等电流能力的电子系统中。在工业控制、家电、通信设备等领域都有广泛应用。

替代型号

1N4007, 1N5408

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1N250参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥592.42670散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)40A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.19 V @ 90 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AB,DO-5,接线柱
  • 供应商器件封装DO-5(DO-203AB)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 200°C