1N250 是一种常用的硅整流二极管,广泛应用于电源整流、电压保护和电路隔离等场合。它具有较高的反向击穿电压和较大的额定整流电流,适合用于中高功率的电子设备中。该二极管通常采用DO-41封装,具有良好的热稳定性和可靠性。
类型:硅整流二极管
最大平均整流电流(Io):1A
最大反向重复峰值电压(VRRM):1000V
最大正向压降(VF):1.1V @ 1A
最大反向漏电流(IR):5uA @ 1000V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:DO-41
1N250具有优异的整流性能和稳定的电气特性。其高反向击穿电压允许在高压环境下使用,而较大的额定整流电流使其能够承受一定的负载能力。此外,该器件具有快速恢复时间,适用于中高频整流应用。其DO-41封装形式便于安装和散热,适合在多种电路环境中使用。由于其高可靠性和广泛的工作温度范围,1N250常被用于工业电源、充电器、开关电源等设备中。
1N250主要用于电源整流电路,如AC-DC转换器、充电器和适配器。它也常用于电压钳位、极性保护和反向电压保护电路中。此外,该二极管还可用于隔离电路、续流二极管以及需要高反向耐压和中等电流能力的电子系统中。在工业控制、家电、通信设备等领域都有广泛应用。
1N4007, 1N5408